[發明專利]光致抗蝕劑和光刻方法

有效

• 申請號: 201110295647.8
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN103034059A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 伍強;顧一鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: G03F7/039
• 分類號: G03F7/039;G03F7/20;G03F7/00
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 馬景輝

1.一種光致抗蝕劑，包括：

基質樹脂；

用于產生化學放大作用的第一組分，該第一組分能夠在第一波段的光的照射下產生第一化學物質，所述第一化學物質能夠與所述基質樹脂發生反應以形成潛像；以及

第二組分，該第二組分能夠在第二波段的光的照射下產生第二化學物質，所述第二化學物質能夠與所述第一化學物質發生反應，從而降低第一化學物質在光致抗蝕劑中的質量濃度。

2.根據權利要求1所述的光致抗蝕劑，其中，所述第一組分是光致產酸劑，并且所述第一化學物質是光酸；以及所述第二組分是光致產堿劑，并且所述第二化學物質是光堿。

3.根據權利要求2所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致產酸劑為(4-叔丁基苯基)二苯基锍三氟甲基磺酸酯或三苯基硫三氟甲烷磺酸鹽。

4.根據權利要求2所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致產堿劑為季銨鹽。

5.根據權利要求2所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致產酸劑的質量濃度為1％至30％。

6.根據權利要求2所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述光致產堿劑的質量濃度為0.1％至20％。

7.根據權利要求2所述的光致抗蝕劑，其特征在于，所述基質樹脂為聚羥基苯乙烯或聚丙烯酸酯。

8.一種使用權利要求1-7中任一項所述的光致抗蝕劑進行光刻的方法，包括以下步驟：

提供表面覆蓋有所述光致抗蝕劑的襯底；

使用第一波段的光對所述光致抗蝕劑表面的選定區域進行選擇性照射；

使用第二波段的光對所述光致抗蝕劑表面的所有區域進行均勻照射；

對所述光致抗蝕劑進行顯影處理，從而形成所需要的光致抗蝕劑圖案。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，第一波段的光的照射劑量為0.1-100毫焦耳/平方厘米。

10.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，第二波段的光的照射劑量為0.1-100毫焦耳/平方厘米。

11.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，基本上同時進行第一波段的光的照射步驟和第二波段的光的照射步驟。