[發明專利]一種正弦波振蕩電路有效
| 申請號: | 201110295644.4 | 申請日: | 2011-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN102427328A | 公開(公告)日: | 2012-04-25 |
| 發明(設計)人: | 王東旺;王帥旗 | 申請(專利權)人: | 北京經緯恒潤科技有限公司 |
| 主分類號: | H03B5/04 | 分類號: | H03B5/04 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明;王寶筠 |
| 地址: | 100101 北京市朝*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 正弦波 振蕩 電路 | ||
1.一種正弦波振蕩電路,包括:相移正弦波振蕩電路和穩幅電路;所述相移正弦波振蕩電路,用于輸出振蕩的正弦波;所述穩幅電路,用于使所述正弦波穩定在預定的幅度;
其特征在于,
所述穩幅電路包括:比較器、第一電流源、第二電流源、NMOS管和第四電容;
所述比較器的正輸入端連接所述相移正弦波振蕩電路的輸出端,所述比較器的負輸入端連接第一參考電壓;所述比較器的輸出端連接NMOS管的柵極;
所述NMOS管的漏極通過第一電流源連接VDD;所述NMOS管的源極通過第二電流源接地;
所述第二電流源大于第一電流源;
所述第四電容的一端連接NMOS管的漏極,另一端接地;
所述NMOS管的漏極作為反饋端,反饋至所述相移正弦波振蕩電路形成負反饋。
2.根據權利要求1所述的正弦波振蕩電路,其特征在于,所述相移正弦波振蕩電路包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、PMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器;
第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端;
第一運算放大器的負輸入端依次通過串聯的第三電阻、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端;
第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓;
第一運算放大器的負輸入端連接PMOS管的漏極,第一運算放大器的輸出端連接PMOS管的源極;
PMOS管的柵極連接所述NMOS管的漏極;
第一電容和第二電容的公共端通過第一電阻接地;
第二電容和第三電容的公共端通過第二電阻接地。
3.根據權利要求1所述的正弦波振蕩電路,其特征在于,所述相移正弦波振蕩電路包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二NMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器;
第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端;
第一運算放大器的負輸入端依次通過串聯的第二NMOS管、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端;
第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓;
第三電阻的兩端分別連接第一運算放大器的負輸入端和輸出端;
第二NMOS管的柵極連接所述NMOS管的漏極。
4.一種正弦波振蕩電路,包括:相移正弦波振蕩電路和穩幅電路;所述相移正弦波振蕩電路,用于輸出振蕩的正弦波;所述穩幅電路,用于使所述正弦波穩定在預定的幅度;
其特征在于,
所述穩幅電路包括:比較器、第一電流源、第二電流源、第二PMOS管和第四電容;
所述比較器的負輸入端連接所述相移正弦波振蕩電路的輸出端,所述比較器的正輸入端連接第一參考電壓;所述比較器的輸出端連接第二PMOS管的柵極;
所述第二PMOS管的源極通過第一電流源連接VDD;所述第二PMOS管的漏極通過第二電流源接地;
所述第一電流源大于第二電流源;
所述第四電容并聯在所述第二電流源的兩端;
第二PMOS管的漏極作為反饋端,反饋至所述相移正弦波振蕩電路形成負反饋。
5.根據權利要求4所述的正弦波振蕩電路,其特征在于,所述相移正弦波振蕩電路包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、第一PMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器;
第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端;
第一運算放大器的負輸入端依次通過串聯的第三電阻、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端;
第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓;
第一運算放大器的負輸入端連接第一PMOS管的漏極,第一運算放大器的輸出端連接第一PMOS管的源極;
第一PMOS管的柵極連接所述第二PMOS管的漏極;
第一電容和第二電容的公共端通過第一電阻接地;
第二電容和第三電容的公共端通過第二電阻接地。
6.根據權利要求4所述的正弦波振蕩電路,其特征在于,所述相移正弦波振蕩電路包括:第一電阻、第二電阻、第三電阻、第二NMOS管、第一電容、第二電容、第三電容和第一運算放大器;
第一運算放大器的輸出端為相移正弦波振蕩電路的輸出端;
第一運算放大器的負輸入端依次通過串聯的第二NMOS管、第三電容、第二電容、第一電容連接第一運算放大器的輸出端;
第一運算放大器的正輸入端連接第二參考電壓;
第三電阻的兩端分別連接第一運算放大器的負輸入端和輸出端;
第二NMOS管的柵極連接所述第二PMOS管的漏極。
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