[發明專利]可降低外延時自摻雜的外延片襯底、外延片及半導體器件無效
| 申請號： | 201110295470.1 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102324406A | 公開（公告）日： | 2012-01-18 |
| 發明（設計）人： | 顧昱;鐘旻遠;林志鑫;陳斌 | 申請（專利權）人： | 上海晶盟硅材料有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/00 | 分類號： | H01L23/00;C30B25/18 |
| 代理公司： | 上海脫穎律師事務所 31259 | 代理人： | 李強 |
| 地址： | 201707 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 降低 外延 摻雜 襯底 半導體器件 | ||
1.可降低外延時自摻雜的外延片襯底，包括襯底本體，其特征在于，所述襯底本體背面具有二氧化硅層。
2.根據權利要求1所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底，其特征在于，所述的二氧化硅層厚度為3-7um。
3.根據權利要求1所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底，其特征在于，在襯底本體正面設置有單晶硅層。
4.根據權利要求3所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底，其特征在于，所述的單晶硅層為三氯硅烷與氫氣在900℃～1050℃下反應，反應生成的單晶硅沉積在襯底本體正面形成。
5.根據權利要求4所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底，其特征在于，所述的三氯硅烷與氫氣通入反應腔內，氫氣的流速為120-170slm/s。
6.根據權利要求3所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底，其特征在于，所述的單晶硅層厚度為2-5μm。
7.根據權利要求1所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底的生產，其特征在于，所述的襯底本體為N型。
8.根據權利要求7所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底，其特征在于，所述的N型襯底本體摻雜有砷、磷及銻中的至少一種元素。
9.根據權利要求1所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底，其特征在于，所述的襯底本體為P型。
10.根據權利要求9所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底，其特征在于，所述的P型襯底本體摻雜有硼。
11.外延片，其特征在于，包括權利要求1至10任一權利要求所述的可降低外延時自摻雜的外延片襯底。
12.半導體器件，其特征在于，包括權利要求11所述的外延片。
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