[發(fā)明專(zhuān)利]一種柔性TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110295407.8
• 申請(qǐng)日: 2011-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102629579A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-08-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴天明;薛建設(shè);姚琪;張鋒
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/77
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/77;H01L29/786;H01L29/51
• 代理公司: 北京中博世達(dá)專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 11274
• 代理人: 申健

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及液晶面板制造領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置。

背景技術(shù)

在現(xiàn)有的柔性顯示器生產(chǎn)過(guò)程當(dāng)中，TFT(Thin?Film?Transistor，薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管)器件多采用多晶或非晶硅材料制作半導(dǎo)體有源層，同時(shí)采用金屬氧化物制作柵絕緣層和采用氧化銦錫作為像素電極。

現(xiàn)有材料構(gòu)成的柔性TFT陣列基板在多次彎曲和折疊之后很容易出現(xiàn)龜裂，從而導(dǎo)致液晶面板出現(xiàn)黑線、亮線或斑點(diǎn)，甚至直接導(dǎo)致顯示屏的毀壞，影響產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種柔性TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置，能夠降低柔性TFT基板發(fā)生龜裂的可能。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案：

一方面，提供一種TFT陣列基板制造方法，包括：

在柔性基板上形成金屬層，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝處理得到柵線和柵極；

在所述柵線和柵極上形成有柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成石墨烯層，通過(guò)第二次構(gòu)圖工藝處理及氫化處理得到由石墨烯構(gòu)成的半導(dǎo)體有源層；

在所述石墨烯層上，通過(guò)第三次構(gòu)圖工藝處理得到由石墨烯構(gòu)成的數(shù)據(jù)線、源極、漏極和像素電極；其中，所述源極與所述半導(dǎo)體有源層相接觸，所述漏極與所述半導(dǎo)體有源層相接觸，形成TFT溝道，所述像素電極與所述漏極相接觸；

在所述數(shù)據(jù)線、源極、半導(dǎo)體有源層、漏極、像素電極之上形成保護(hù)層。

另一方面，提供一種TFT陣列基板，包括：

柔性基板；

所述柔性基板上形成有柵線和柵極；

所述柵線和柵極上形成有柵絕緣層；

在所述柵絕緣層上形成有由石墨烯構(gòu)成的數(shù)據(jù)線、源極、半導(dǎo)體有源層、漏極和像素電極；其中，所述源極與所述半導(dǎo)體有源層相接觸，所述漏極與所述半導(dǎo)體有源層相接觸，形成TFT溝道，所述像素電極與所述漏極相接觸；

在所述數(shù)據(jù)線、源極、半導(dǎo)體有源層、漏極和像素電極上形成有保護(hù)層。

再一方面，提供一種顯示裝置，包括上述的任意一種柔性TFT陣列基板。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種柔性TFT陣列基板及其制造方法和顯示裝置，利用石墨烯作為半導(dǎo)體有源層、源極、漏極和像素電極，利用有機(jī)樹(shù)脂等柔性材料作為柵絕緣層來(lái)制備TFT陣列基板。這樣得到的TFT陣列基板，即使在多次彎曲和折疊之后，也很少發(fā)生龜裂，從而提高了產(chǎn)品質(zhì)量。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法的流程示意圖；

圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的基板結(jié)構(gòu)示意圖一；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的基板結(jié)構(gòu)示意圖二；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的基板結(jié)構(gòu)示意圖三；

圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的基板結(jié)構(gòu)示意圖四；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的基板結(jié)構(gòu)示意圖五；

圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的基板結(jié)構(gòu)示意圖六；

圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的基板結(jié)構(gòu)示意圖七；

圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的柔性TFT陣列基板制造方法過(guò)程中的基板結(jié)構(gòu)示意圖八。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種柔性TFT陣列基板制造方法，如圖1所示，其步驟包括：

S101、在柔性基板上形成金屬層，通過(guò)第一次構(gòu)圖工藝處理得到柵線和柵極。