[發明專利]利用結晶梯度增加硅薄膜太陽能電池光吸收波段

無效

• 申請號: 201110295377.0
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN103022182A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 簡唯倫;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/0392
• 分類號: H01L31/0392;H01L31/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

?本發明是一種利用在硅薄膜太陽能電池的新技術，其主要目是以單結硅薄膜太陽能電池結構達到雙結非晶與微晶結構硅薄膜太陽能電池相同之效果。

背景技術

技術

目前，世界太陽能產業，為了能有效利用各波段的光能，來完成最有效之薄膜太陽能電池，紛紛由單結結構薄膜太陽能電池增加為雙結或是三結以上結構，以各層不同光吸收波段的特性相互補足，但隨著結數增多，各結間的接面問題也越多，造成許多制程上需要多增加幾道緩沖層來改善其問題，導致無法大幅度降低制作成本，影響在市場上的競爭能力。

發明內容

本發明主要是利用結晶梯度增加硅薄膜太陽能電池光吸收波段。在鍍制太陽能電池時，本質層調整硅烷與氫氣比例，由一開始的非晶硅薄膜，逐漸轉變成微晶硅薄膜層，使其吸收層，同時能擁有非晶與微晶硅薄膜光吸收波段，有效提高此薄膜太陽能電池之轉換效率，提升市場上的競爭能力。

具體實施方法:

吾將本發明搭配附圖，詳細說明如下:

圖一為本發明制作結晶梯度增加硅薄膜太陽能電池之示意圖，由圖中可得知，取得一玻璃基板(1)，鍍制一層透明導電層(2)，在吸收層部分，先鍍制非晶硅P型薄膜層(3)，接著在鍍制結晶梯度本質硅薄膜層(4)，由于前P型層為非晶結構，而本質層一開始鍍制也是非晶結構，所以可以減少接面匹配性問題，再鍍制本質硅薄膜層過程中，調整硅烷與氫氣比例，使其結構逐漸由非晶轉變成微晶，即完成結晶梯度本質硅薄膜層(4)；再來，就鍍制微晶硅N型薄膜層(5)，最后再鍍制背電極(6)，即完成一個高效能硅薄膜太陽能電池模塊。當不同波段之光源(7)進入吸收層時，皆能有效吸收后轉換電能，提高此薄膜太陽能電池之轉換效率。

以上說明,對本發明而言只是說明性的，非限制性的，本領域普通技術人員理解，在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修正、變化或等效，但都將落入本發明的保護范圍之內。

附圖說明:

下面為結合附圖對本發明進一步說明。

圖一為本發明制作結晶梯度增加硅薄膜太陽能電池之示意圖。

圖標主要符號說明1?…玻璃2?…透明導電性層3?…非晶硅P型薄膜層4?…結晶梯度本質硅薄膜層5?…微晶硅N型薄膜層6?…背電極7?…各波段之光源。