[發明專利]一種取向生長的鐵摻雜氮化鈦鐵磁性薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110295307.5
• 申請日: 2011-09-28
• 公開（公告）號: CN102360944A
• 公開（公告）日: 2012-02-22
• 發明（設計）人: 王曉姹
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: H01F41/18
• 分類號: H01F41/18;H01F10/10;C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種取向生長的鐵摻雜氮化鈦鐵磁性薄膜的制備方法，其特征在于：采用超高真空三靶共沉積磁控濺射鍍膜機制備，本步驟如下：

1)?在鍍膜機對向的靶頭上安裝一對Ti靶，一端作為N極，另一端為S極，在Ti靶的表面固定Fe片，兩個靶之間的距離為100?mm，靶的軸線與樣品架之間的距離為100?mm；

2）將玻璃基底用酒精進行超聲處理后，采用手搓的方式將其表面雜質清除后，放入酒精中浸泡，吹干后安裝在對向靶連線的中垂線上；

3）開對向靶磁控濺射設備，先后啟動一級機械泵和二級分子泵抽真空，直至濺射室的背底真空度為1×10^–4?Pa；

4）向真空室通入Ar和N₂的混合氣體，將真空度保持在1?Pa；

5）開啟濺射電源，在一對Ti靶上施加電流和電壓，預濺射20分鐘，等濺射電流和電壓穩定；

6）打開基片架上的檔板開始濺射鍍膜，鍍膜過程中基片位置固定；

7）鍍膜時間為30分鐘，鍍膜結束后，關閉基片架上的檔板，然后關閉濺射電源，停止通入濺射氣體Ar和N₂，完全打開閘板閥，繼續抽真空，然后關閉真空系統，待系統冷卻后，向真空室充入純度為99.999%的氮氣，待真空式的氣壓與外界大氣壓相同時，開真空室，打開真空室取出制得的目標產品。

2.根據權利要求1所述取向生長的鐵摻雜氮化鈦鐵磁性薄膜的制備方法，其特征在于：所述Ti靶的純度為99.99%，靶材的厚度為5?mm，直徑為100?mm；Fe片的純度為99.99%，Fe片的面積為1-2?cm²。

3.根據權利要求1所述取向生長的鐵摻雜氮化鈦鐵磁性薄膜的制備方法，其特征在于：所述Ar和N₂的混合氣體中，?Ar和N₂的純度均為99.999%，?Ar和N₂的流量均為15?sccm。

4.根據權利要求1所述取向生長的鐵摻雜氮化鈦鐵磁性薄膜的制備方法，其特征在于：所述濺射直流電源在Ti靶上施加0.3?A的電流和500?V的電壓。