[發(fā)明專利]薄膜晶體管

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110295017.0
• 申請(qǐng)日: 2011-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN103022142A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾堅(jiān)信
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/786
• 分類號(hào): H01L29/786;H01L29/10
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管。

背景技術(shù)

隨著工藝技術(shù)的進(jìn)步，薄膜晶體管已被大量應(yīng)用在顯示器之中，以適應(yīng)顯示器的薄型化和小型化等需求。薄膜晶體管一般包括柵極、漏極、源極以及溝道層等組成部分，其通過(guò)控制柵極的電壓來(lái)改變溝道層的導(dǎo)電性，使源極和漏極之間形成導(dǎo)通或者截止的狀態(tài)。

薄膜晶體管包括柵極、源極、漏極以及溝道層等部件，通過(guò)控制柵極的電壓來(lái)改變溝道層的導(dǎo)電性。一般地，在溝道層形成之后，通過(guò)摻雜的方法在溝道層的相反兩端形成高摻雜區(qū)域以形成源極和漏極。然而，上述摻雜的過(guò)程不僅使薄膜晶體管的制作工藝復(fù)雜化，而且還需要額外的設(shè)備如離子注入機(jī)等，這無(wú)疑會(huì)增加薄膜晶體管的制作成本。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，有必要提供一種制備過(guò)程較簡(jiǎn)單的薄膜晶體管。

一種薄膜晶體管，包括基板、溝道層、源極、漏極和柵極，溝道層設(shè)置在基板上，源極和漏極分別設(shè)置在該溝道層的相對(duì)兩側(cè)并與該溝道層電連接，該柵極位于溝道層的上方或者下方，柵極與溝道層之間設(shè)置有柵絕緣層，溝道層采用第一氧化物半導(dǎo)體材料制成，源極和漏極采用第二氧化物半導(dǎo)體材料制成，且第二氧化物半導(dǎo)體材料的禁帶寬度小于第一氧化物半導(dǎo)體材料的禁帶寬度。

在本發(fā)明提供的薄膜晶體管中，采用具有較小禁帶寬度的第二氧化物半導(dǎo)體材料作為源極和漏極，在同一溫度下，源極和漏極將會(huì)具有較高的載流子濃度，從而具有較好的導(dǎo)電性能。上述過(guò)程無(wú)需通過(guò)在溝道層上摻雜的方式使源極和漏極的載流子濃度高于溝道層，從而使制備過(guò)程簡(jiǎn)單，降低薄膜晶體管的制作成本。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本發(fā)明第二實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是本發(fā)明第三實(shí)施例提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。

主要元件符號(hào)說(shuō)明

薄膜晶體管100、200基板110、210溝道層120、220源極130、230源極電極131、231漏極140、240漏極電極141、241柵極150、250柵絕緣層151、251粘結(jié)層260蝕刻阻擋層270

如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)參見圖1，本發(fā)明第一實(shí)施例提供的薄膜晶體管100包括基板110、溝道層120、源極130、漏極140和柵極150。其中，基板10的制作材料包括玻璃、石英、硅晶片、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、金屬箔或者紙。