[發明專利]一種高性能氣體傳感器

無效

• 申請號: 201110295012.8
• 申請日: 2011-10-08
• 公開（公告）號: CN102608170A
• 公開（公告）日: 2012-07-25
• 發明（設計）人: 王仲祺;許志;徐軍
• 申請（專利權）人: 北京中科微納物聯網技術股份有限公司
• 主分類號: G01N27/12
• 分類號: G01N27/12
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高性能氣體傳感器，其特征在于包括以下步驟：

1)采用一維納米材料制作為氣體傳感器的敏感材料；

2)摻雜的納米材料作為氣敏材料，提高傳感器性能；

3)采用旁式結構或平面結構制備氣體傳感器；

2.如權利要求1所述一維納米材料，其特征在于步驟1)中，一維納米材料采用常溫常壓等低成本、工藝簡單的方法制備的。

3.如權利要求1所述摻雜的納米材料作為氣敏材料，其特征在于步驟1)中，摻雜的納米材料作為氣敏材料采用常溫常壓等低成本、工藝簡單的方法制備的。

4.如權利要求1所述采用旁式結構制備氣體傳感器，其特征在于步驟1)中，旁式結構是指氧化鋁等絕緣陶瓷管作為傳感器基底，結構簡單，成本低。

5.如權利要求1所述采用平面結構制備氣體傳感器，其特征在于步驟1)中，平面結構是指采用微電子技術或微機電技術(MEMS技術)制備的低功耗的傳感器結構，包括選擇硅基地、SOI基底等。