[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器有效
| 申請號: | 201110294950.6 | 申請日: | 2011-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN102629628A | 公開(公告)日: | 2012-08-08 |
| 發明(設計)人: | 劉翔;薛建設 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/786 | 分類號: | H01L29/786;H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tft 陣列 及其 制造 方法 液晶顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及液晶面板制造領域,尤其涉及一種薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)的TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。
背景技術
TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display,薄膜場效應晶體管液晶顯示器)是利用設置在液晶層上電場強度的變化,改變液晶分子的旋轉的程度,從而控制透光的強弱來顯示圖像的。一般來講,一塊完整的液晶顯示面板必須具有背光模塊、偏光片、彩膜基板和TFT陣列基板,以及加在彩膜基板和TFT陣列基板之間的液晶分子層。
近年來TFT-LCD獲得了飛速的發展,隨著TFT-LCD尺寸的不斷增大、分辨率的不斷提高,為了提高顯示質量,采用了更高頻率的驅動電路,TFT-LCD的充電時間更短,因此需要高遷移率的半導體層材料。此外,圖像信號的延遲也成為制約大尺寸、高分辨率TFT-LCD顯示效果的關鍵因素之一,因此一般TFT陣列基板使用低電阻金屬材料Cu作為數據線。
現有制作TFT陣列基板的工藝是在基板上依次形成柵線、柵絕緣層和半導體有源層,為防止金屬材料在制作源、漏極時對半導體有源層產生污染,在半導體有源層上再形成一具有過孔的保護層,在該保護層上形成通過過孔與半導體有源層連接的源極、漏極。這樣一來,制作該保護層時增加了一道構圖工序,從而降低了TFT陣列基板的生產效率,提高了生產成本。
發明內容
本發明提供一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器,在防止半導體有源層受到污染的同時,減少了構圖工序,提高了生產效率,降低了生產成本。
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:
一方面,提供一種TFT陣列基板,包括:
基板;
所述基板上形成有柵線、柵極、柵絕緣層和半導體有源層;
所述半導體有源層上形成有與所述半導體有源層同面積的金屬阻擋層;
所述金屬阻擋層上形成有源極和漏極,其中,所述金屬阻擋層位于所述源極和漏極之間的區域為經過氧化工藝處理后所得的金屬氧化物區域,使所述源極、漏極相互絕緣;
在所述基板和所述源極、漏極上形成有保護層和與所述漏極連接的像素電極。
一方面,提供一種液晶顯示器,所述液晶顯示器包括上述的TFT陣列基板。
一方面,提供一種TFT陣列基板制造方法,包括:
在基板上形成柵線和柵極;
在所述基板和所述柵線、柵極上形成柵絕緣層;
在所述柵絕緣層上涂布有源層;
在所述有源層上涂布金屬阻擋層;
在所述金屬阻擋層上涂布數據金屬層,利用灰色調掩摸板或半透式掩摸板對所述數據金屬層、金屬阻擋層和有源層進行一次構圖工藝處理,得到數據線、源極、漏極和半導體有源層,以及與所述半導體有源層同面積的金屬阻擋層;
對所述源極、漏極之間區域的所述金屬阻擋層進行氧化工藝處理,使所述源極、漏極相互絕緣;
在所述基板和所述數據線、源極、漏極上形成保護層;
在所述保護層上形成與所述漏極連接的像素電極。
本發明實施例提供的TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器,在基板的源極、漏極與半導體有源層之間增加一層金屬阻擋層,再對源極、漏極之間區域的該金屬阻擋層進行氧化工藝處理。這樣,既可以防止源極、漏極形成過程中對半導體有源層的污染,又無需單獨對該金屬阻擋層進行構圖工藝處理,因此相對現有技術而言,減少了構圖工序,提高了生產效率,降低了生產成本。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例提供的TFT陣列基板的結構示意圖;
圖2為本發明實施例提供的TFT陣列基板制造方法的流程示意圖;
圖3為本發明實施例提供的TFT陣列基板制造方法過程中的基板結構示意圖一;
圖4為本發明實施例提供的TFT陣列基板制造方法過程中的基板結構示意圖二;
圖5為本發明實施例提供的TFT陣列基板制造方法過程中的基板結構示意圖三;
圖6為本發明實施例提供的TFT陣列基板制造方法過程中的基板結構示意圖四;
圖7為本發明實施例提供的TFT陣列基板制造方法過程中的基板結構示意圖五;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于京東方科技集團股份有限公司,未經京東方科技集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110294950.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類





