[發明專利]半導體器件的制造方法

有效

• 申請號: 201110294756.8
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN103035565A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 周鳴
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/321
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在襯底上形成薄膜；

通過化學機械研磨工藝去除多余的薄膜材料；

采用熱輻射源對薄膜表面進行熱處理。

2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述采用熱輻射源對薄膜表面進行熱處理的步驟包括：通過熱輻射使所述薄膜表面的溫度在350～400℃的范圍內。

3.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述熱輻射源為紫外光光源，所述采用熱輻射源對薄膜表面進行熱處理的步驟包括：采用所述紫外光光源對薄膜表面進行照射以進行熱處理。

4.如權利要求3所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述紫外光光源的波長在400nm～200nm的范圍內。

5.如權利要求4所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述紫外光光源的波長為365nm。

6.如權利要求5所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述紫外光光源的功率在100～500w的范圍內，對薄膜表面進行照射的時間在1～5分鐘的范圍內。

7.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述采用熱輻射源對薄膜表面進行熱處理的步驟包括：在0.1～0.5torr的真空環境下對薄膜表面進行熱處理。

8.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述熱輻射源為可見光光源，所述采用熱輻射源對薄膜表面進行熱處理的步驟包括：采用所述可見光光源對薄膜表面進行照射以進行熱處理。

9.如權利要求2所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述熱輻射源為紅外光光源，所述采用熱輻射源對薄膜表面進行熱處理的步驟包括：采用所述紅外光光源對薄膜表面進行照射以進行熱處理。

10.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述薄膜為金屬層。

11.如權利要求10所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，還包括在對金屬層表面進行熱處理之后，在金屬層上依次形成阻擋層、介質層。

12.如權利要求11所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬層的材料為銅。

13.如權利要求12所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為摻氮的碳化硅、氮化硅中的一種或多種。

14.如權利要求13所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述介質層的材料為SiO₂、SiOF、SiCOH、SiO、SiCO、SiCON中的一種或多種。