[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110294600.X
• 申請(qǐng)日: 2011-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103035564A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周鳴
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/31;H01L23/532
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底，在襯底上形成介質(zhì)層，在介質(zhì)層中形成金屬互連線；

在所述金屬互連線上形成第一阻擋層；

對(duì)所述第一阻擋層的表面進(jìn)行硅化處理，形成第一富硅阻擋層；

在所述第一富硅阻擋層上形成第二阻擋層；

對(duì)所述第二阻擋層的表面進(jìn)行硅化處理，形成第二富硅阻擋層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層與第二阻擋層的介電常數(shù)不相同。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層與第二阻擋層的介電常數(shù)相同。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層的介電常數(shù)大于所述第二阻擋層的介電常數(shù)。

5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層的材料為氮化硅，第二阻擋層的材料為摻氮的碳化硅。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述金屬互連線上形成第一阻擋層的步驟包括：通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法形成所述氮化硅。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法形成所述氮化硅的步驟包括：所述等離子體化學(xué)氣相沉積過(guò)程中加載的射頻信號(hào)的功率小于或等于50W。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一阻擋層的厚度在的范圍內(nèi)。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述對(duì)所述第一阻擋層的表面進(jìn)行硅化處理，形成第一富硅阻擋層的步驟包括：通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法進(jìn)行所述硅化處理。

10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法進(jìn)行所述硅化處理的步驟包括：向等離子體化學(xué)氣相沉積裝置通入含硅的反應(yīng)氣體。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法進(jìn)行所述硅化處理的步驟包括：所述等離子體化學(xué)氣相沉積過(guò)程中加載的射頻信號(hào)功率在50～500W的范圍內(nèi)，向等離子體化學(xué)氣相沉積裝置通入的反應(yīng)氣體包括硅烷，通入硅烷的流量在100～1000sccm的范圍內(nèi)，等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的氣壓在2～7torr的范圍內(nèi)。

12.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第一富硅阻擋層的厚度在的范圍內(nèi)。

13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第二阻擋層的材料包括摻氮的碳化硅，所述在所述第一富硅阻擋層上形成第二阻擋層的步驟包括：通過(guò)化學(xué)氣相沉積的方法形成所述第二阻擋層。

14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第二阻擋層的厚度在的范圍內(nèi)。

15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，對(duì)所述第二阻擋層的表面進(jìn)行硅化處理，形成第二富硅阻擋層的步驟包括：通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法進(jìn)行所述硅化處理。

16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法進(jìn)行所述硅化處理的步驟包括：向等離子體化學(xué)氣相沉積裝置通入含硅的反應(yīng)氣體。

17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述通過(guò)等離子體化學(xué)氣相沉積的方法進(jìn)行所述硅化處理的步驟包括：所述等離子體化學(xué)氣相沉積過(guò)程中加載的射頻信號(hào)功率在50～500W的范圍內(nèi)，向等離子體化學(xué)氣相沉積裝置通入的反應(yīng)氣體包括硅烷，通入硅烷的流量在100～1000sccm的范圍內(nèi)，等離子體化學(xué)氣相沉積裝置的氣壓在2～7torr的范圍內(nèi)。

18.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第二富硅阻擋層的厚度在的范圍內(nèi)。

19.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

襯底，位于襯底上的介質(zhì)層，形成于介質(zhì)層中的金屬互連線；

依次位于金屬互連線上的第一阻擋層、第一富硅阻擋層、第二阻擋層、第二富硅阻擋層。