[發明專利]形成低成本的TSV

有效

• 申請號: 201110294556.2
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN102446830A
• 公開（公告）日: 2012-05-09
• 發明（設計）人: 楊固峰;林詠淇;張宏賓;吳倉聚;邱文智
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 北京德恒律師事務所 11306
• 代理人: 陸鑫;高雪琴

1.一種方法包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成介電層；

在所述襯底中形成開口；

在所述介電層中形成第二開口，其中所述第一開口和所述第二開口具有不同的水平尺寸；

填充金屬材料到所述第一開口和所述第二開口中；以及

對所述金屬材料實施平坦化以移除位于所述介電層的頂面上方的所述金屬材料的多余部分，其中所述金屬材料的剩余部分形成所述第一開口中的襯底通孔(TSV)和所述第二開口中的第一金屬焊盤。

2.根據權利要求1所述的方法，還包括在填充所述金屬材料的步驟之前，在所述第一開口和所述第二開口的側壁上形成擴散勢壘層。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括在形成所述第一開口的步驟之后并且形成所述第二開口的步驟之前，在所述襯底暴露于所述第一開口的表面上形成介電內襯。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括在形成所述介電層的步驟之前，形成位于所述襯底的頂面上方并與所述頂面接觸的隔離層。

5.根據權利要求1所述的方法，其中在形成所述第一開口的步驟之后，進行形成所述介電層的步驟，其中所述方法還包括，在形成所述第一開口的步驟之后并且形成所述介電層的步驟之前，在所述第一開口的側壁上和所述襯底的頂面上形成介電內襯。

6.根據權利要求1所述的方法，在實施所述平坦化的步驟之后：

研磨所述襯底直到暴露出所述TSV；

形成與所述TSV接觸的擴散勢壘層；以及

形成與所述擴散勢壘層接觸并與所述TSV電連接的第二金屬焊盤。

7.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在實施形成所述第二開口的步驟的同時在所述介電層中形成溝槽，其中所述金屬材料填充到所述溝槽中，其中對所述金屬材料實施平坦化步驟之后，在所述溝槽中形成金屬線。

8.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底為半導體襯底，其中所述第一金屬焊盤在直接位于層間介質上方的第一金屬層中。

9.根據權利要求1所述的方法，其中所述襯底為半導體襯底，其中在所述襯底的任何表面上都沒有形成有源器件。

10.一種方法，包括：

提供襯底；

在所述襯底上方形成隔離層；

在所述隔離層上方形成第一介電層；

形成從所述第一介電層的頂面延伸到所述襯底中的第一開口；

蝕刻所述第一介電層以擴張所述第一介電層中的所述第一開口為第二開口；

在所述第一開口和所述第二開口的側壁上形成第一擴散勢壘層；

填充金屬材料到所述第一開口和所述第二開口中和所述第一擴散勢壘層上；以及

對所述金屬材料實施平坦化以移除所述第一介電層的頂面上方的所述金屬材料的多余部分以形成所述第一開口中的襯底通孔(TSV)和所述第二開口中的第一金屬焊盤。