[發明專利]形成用于導線回路和導電凸點的導線鍵合的方法有效
| 申請號: | 201110294325.1 | 申請日: | 2011-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN102420150A | 公開(公告)日: | 2012-04-18 |
| 發明(設計)人: | W·秦;J·W·布倫納;P·A·里德 | 申請(專利權)人: | 庫利克和索夫工業公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/66 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文;蹇煒 |
| 地址: | 美國賓*** | 國省代碼: | 美國;US |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 形成 用于 導線 回路 導電 方法 | ||
1.一種使用導線鍵合機形成導線鍵合的方法,所述方法包括如下步驟:
(1)選擇至少一個目標鍵合控制值;
(2)使用算法和所述至少一個選擇的目標鍵合控制值來生成用于形成導線鍵合的鍵合參數;
(3)使用所生成的鍵合參數來形成導線鍵合;
(4)確定所形成的導線鍵合的所述至少一個選擇的目標鍵合控制值是否在所述至少一個選擇的目標鍵合控制值的預定公差內;
(5)如果所形成的導線鍵合的所述至少一個選擇的目標鍵合控制值不在所述預定公差內,則調整至少一個鍵合調整值;以及
(6)使用算法和所述至少一個調整的鍵合調整值來生成用于形成后續導線鍵合的修正的鍵合參數。
2.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(1)包括將所述至少一個目標鍵合控制值選擇為使得所述至少一個目標鍵合控制值包括以下至少其一:(a)導線鍵合的鍵合球的直徑;以及(b)導線鍵合的切變強度。
3.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(1)包括將所述至少一個目標鍵合控制值選擇為使得所述至少一個目標鍵合控制值是導線鍵合的鍵合球的直徑。
4.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(2)包括將所述鍵合參數生成為包括以下至少其一:(a)用于形成導線鍵合的鍵合時間;(b)用于形成導線鍵合的超聲能分布;(c)鍵合工具接近用于形成導線鍵合的鍵合位置的速度分布;(d)在使用無空氣球來形成導線鍵合的情況下,所述無空氣球的尺寸;(e)用于形成所述無空氣球的電子打火能量分布;以及(f)用于形成導線鍵合的鍵合力分布。
5.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(2)的所述算法不同于步驟(6)的所述算法。
6.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(2)的所述算法與步驟(6)的所述算法相同。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(3)包括使用所生成的鍵合參數來形成多個導線鍵合。
8.根據權利要求7所述的方法,其中,步驟(4)包括確定所述多個形成的導線鍵合中的所述至少一個選擇的目標鍵合控制值的集合是否在所述預定公差內。
9.根據權利要求1所述的方法,其中,從導線鍵合機離線地執行步驟(4)。
10.根據權利要求1所述的方法,其中,在導線鍵合機上執行步驟(4)。
11.根據權利要求1所述的方法,其中,步驟(5)包括將所述至少一個鍵合調整值選擇為包括以下至少其一:(a)鍵合球強度調整;(b)鍵合球直徑調整;(c)鍵合球高度調整;(d)金屬間分布調整;以及(e)鍵合焊盤濺斑調整。
12.一種使用導線鍵合機形成導線鍵合的方法,所述方法包括如下步驟:
(1)選擇至少一個目標鍵合控制值,所述至少一個目標鍵合控制值包括導線鍵合的鍵合球的直徑;
(2)使用算法和所述至少一個選擇的目標鍵合控制值來生成用于形成導線鍵合的鍵合參數;
(3)使用所生成的鍵合參數來形成導線鍵合;
(4)確定所形成的導線鍵合的所述至少一個選擇的目標鍵合控制值是否在所述至少一個選擇的目標鍵合控制值的預定公差內;
(5)如果所形成的導線鍵合的所述至少一個選擇的目標鍵合控制值不在所述預定公差內,則調整至少一個鍵合調整值;以及
(6)使用算法和所述至少一個調整的鍵合調整值來生成用于形成后續導線鍵合的修正的鍵合參數。
13.根據權利要求12所述的方法,其中,步驟(1)包括將所述至少一個目標鍵合控制值選擇為使得所述至少一個目標鍵合控制值還包括導線鍵合的切變強度。
14.根據權利要求12所述的方法,其中,步驟(1)包括將所述至少一個目標鍵合控制值選擇為使得所述至少一個目標鍵合控制值是導線鍵合的鍵合球的直徑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于庫利克和索夫工業公司,未經庫利克和索夫工業公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110294325.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





