[發明專利]光傳感器和光傳感器陣列

有效

• 申請號: 201110294301.6
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102569309A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 米倉健史;宮澤敏夫;長谷川篤;齊藤輝兒;安田好三
• 申請（專利權）人: 株式會社日立顯示器;松下液晶顯示器株式會社
• 主分類號: H01L27/14
• 分類號: H01L27/14
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 陳偉;孟祥海

1.一種光傳感器，

其包括：由金屬膜構成的下部電極、設置在上述下部電極之上的無定形硅膜、設置在上述無定形硅膜之上的n型無定形硅膜、以及設置在上述n型無定形硅膜之上的上部電極，

該光傳感器將依賴于入射到上述無定形硅膜的光量的電壓作為傳感器輸出電壓進行輸出，

其中，上述光傳感器的特征在于，還包括：

對上述上部電極和上述下部電極中的一方輸入第一電壓的機構；

在接通狀態時對上述上部電極和上述下部電極中的另一方輸入電位高于上述第一電壓的第二電壓，在關斷狀態時使上述上部電極和上述下部電極中的上述另一方處于浮置狀態的機構；以及

在上述上部電極和上述下部電極中的上述另一方處于浮置狀態下，使經過預定期間后的上述上部電極和上述下部電極中的上述另一方的電壓變化作為上述傳感器輸出電壓進行輸出的機構。

2.根據權利要求1所述的光傳感器，其特征在于，

上述各光傳感器像素的無定形硅膜的膜厚為500nm以上。

3.根據權利要求2所述的光傳感器，其特征在于，

上述各光傳感器像素的無定形硅膜的膜厚為1200nm以下。

4.一種光傳感器陣列，具有配置成陣列狀的即m×n個光傳感器像素，其特征在于，

上述各光傳感器像素包括：由金屬膜構成的下部電極；設置在上述下部電極之上的無定形硅膜；設置在上述無定形硅膜之上的n型無定形硅膜；以及設置在上述n型無定形硅膜之上的上部電極，

上述各光傳感器像素輸出與入射到上述無定形硅膜的光量相應的電壓，

上述光傳感器陣列包括：

多條掃描線，與各行的上述光傳感器像素所包含的上述上部電極和上述下部電極中的一方相連接；

多條讀出線，與各列的上述光傳感器像素所包含的上述上部電極和上述下部電極中的另一方相連接；

掃描電路，與上述多條掃描線連接，按每1水平掃描期間依次對上述各掃描線提供第一電壓的選擇掃描信號；

第一機構，在1水平掃描期間的消隱期間對上述多條讀出線輸入了電位高于上述第一電壓的第二電壓之后，使上述多條讀出線處于浮置狀態；

第二機構，與上述多條讀出線連接，使1水平掃描期間內的上述各讀出線的電壓變化作為光傳感器像素的傳感器輸出電壓進行輸出，其中上述光傳感器像素的上述上部電極和上述下部電極中的上述另一方與上述各讀出線連接，并且上述光傳感器像素的上述上部電極和上述下部電極中的上述一方被輸入選擇掃描電壓。