[發明專利]一種適用于高溫環境下高效硅基薄膜太陽電池的制備方法

無效

• 申請號: 201110294167.X
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102332498A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 王恩忠;李鵬;林宏達
• 申請（專利權）人: 牡丹江旭陽太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 牡丹江市丹江專利事務所 23205
• 代理人: 張雨紅

1.一種適用于高溫環境下高效硅基薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于，電池組件是按超白玻璃層、TCO膜層、前非晶硅P層、前非晶硅I層、前非晶硅N層、底微晶硅P層、底微晶硅I層、底微晶硅N層、AZO膜層、Ag膜層、PVB或EVA膜層和背板玻璃層依次排列，制備方法包括以下步驟：

a、用LPCVD或磁控濺射在玻璃基板上制備TCO；

b、對玻璃基板上的TCO膜層激光刻劃；

c、在TCO膜層上制備前非晶硅電池1；

d、在前非晶硅電池1上繼續制備底微晶硅電池2；

e、激光刻劃前非晶硅電池及底微晶硅電池膜層；

f、用磁控濺射制備電池背電極，包括AZO、Ag膜層；

g、激光刻劃背電極，激光清邊機清邊；

h、引出正負電極，用超聲波焊接機焊接匯流條、引流條；

i、鋪設PVB或者EVA；

j、輥壓機預壓，高壓釜層壓封裝。

2.如權利要求1所述的適用于高溫環境下高效硅基薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟a中TCO膜層厚度5000～7000?，方塊電阻小于15Ω/□，波長400～800?nm的光透過率要大于90%。

3.如權利要求1所述的適用于高溫環境下高效硅基薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟c中制備p層工藝參數為：

使用B(CH₄)₃、SiH₄、CH₄、Ar、H₂氣體，沉積溫度180℃～210℃，功率密度0.2～0.35W/cm²，氫稀釋比R（R=?H₂/?SiH₄）為23～35，硅烷與甲烷流量比為10:(1～1.35)，為沉積壓力為150～220p_a；

膜層厚度150～250?；

制備I層工藝條件：

使用SiH₄、Ar、H₂氣體，其中H₂/?SiH₄比之R為16～19，沉積溫度190℃～220℃，功率密度0.2～0.45W/cm²，沉積壓力為55～95p_a,?膜層厚度1700～2200?；

制備N層工藝條件：

使用PH₃、SiH₄、Ar、H₂氣體，其中H₂/SiH₄比之R為17～20，沉積溫度180℃～210℃，功率密度0.2～0.35W/cm²，沉積壓力為90～150p_a,?膜層厚度150～250?。

4.如權利要求1所述的適用于高溫環境下高效硅基薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟d中制備p層工藝參數為：

使用B(CH₄)₃、SiH₄、CH₄、Ar、H₂氣體，沉積溫度180℃～210℃，功率密度0.18～0.3W/cm²，氫稀釋比R（R=?H₂/?SiH₄）為23～35，硅烷與甲烷流量比為10:(1～1.35)，為沉積壓力為150～220p_a；

膜層厚度150～250?；

制備I層工藝條件：

使用SiH₄、Ar、H₂氣體，其中H₂/?SiH₄比之R為22～25，沉積溫度160℃～180℃，功率密度0.4～0.65W/cm²，沉積壓力為200～300p_a,?膜層厚度7000～14000?；

制備N層工藝條件：

使用PH₃、SiH₄、Ar、H₂氣體，其中H₂/SiH₄比之R為17～20，沉積溫度180℃～210℃，功率密度0.2～0.35W/cm²，沉積壓力為90～150p_a,?膜層厚度150～250?。

5.如權利要求1所述的適用于高溫環境下高效硅基薄膜太陽電池的制備方法，其特征在于，所述步驟f中AZO膜層厚度2000～5000?，方塊電阻小于280?Ω/□，Ag膜層厚度500～1500?。