[發明專利]一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器有效
| 申請號: | 201110293236.5 | 申請日: | 2011-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN102655144A | 公開(公告)日: | 2012-09-05 |
| 發明(設計)人: | 李鑫;馮京;唐磊 | 申請(專利權)人: | 北京京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/58;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100176 北*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 tft 陣列 及其 制造 方法 液晶顯示器 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示器的制造領域,尤其涉及一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。?
背景技術
在TFT-LCD(Thin?Film?Transistor-Liquid?Crystal?Display,薄膜場效應晶體管-液晶顯示器)制造工藝中,TFT陣列基板需要與集成電路或者柔性電路板進行粘合,將驅動信號傳輸到基板顯示區。?
而在TFT陣列基板與集成電路或者柔性電路板進行粘合的焊墊區上,由于引線部分容易發生腐蝕等現象造成粘合不良,因此使得驅動信號不能有效傳輸到基板顯示區,進而產生畫面不良。?
發明內容
本發明的實施例提供一種TFT陣列基板、接入方法和液晶顯示器,一定程度上解決焊墊區因腐蝕或者粘合不良造成的驅動信號不能傳輸到基板顯示區問題。?
為達到上述目的,本發明的實施例采用如下技術方案:?
一方面,提供一種TFT陣列基板,依次包括柵線層、第一絕緣層、半導體有源層、數據線層、第二絕緣層和透明導電層;所述TFT陣列基板的焊墊區包括至少一條引線,每條引線與至少兩個位于數據線層的粘合區電連接。?
另一方面,提供一種TFT陣列基板制造方法,包括:?
在基板上形成柵線的同時,在焊墊區形成柵層引線;?
在所述基板上形成第一絕緣層;?
在所述第一絕緣層上形成數據線的同時,針對每條柵層引線在焊墊區形成至少兩個粘合區;?
在所述基板上形成第二絕緣層,在所述柵層引線上方形成露出所述柵層引線的第一過孔,所述第一過孔的個數對應所述粘合區的個?數,在所述粘合區上方形成露出所述粘合區的第二過孔;?
在所述第二絕緣層上形成像素電極的同時,在焊墊區形成覆蓋所述第一過孔和第二過孔的透明導電層。?
另一方面,提供一種TFT陣列基板制造方法,包括:?
在基板上形成柵線的同時,在焊墊區形成柵層引線;?
在所述基板上形成第一絕緣層,在所述柵層引線上方形成露出所述柵層引線的第三過孔,所述第三過孔的個數對應粘合區的個數;?
在所述第一絕緣層上形成數據線層的同時,針對每條柵層引線在焊墊區形成至少兩個粘合區,所述粘合區覆蓋所述第三過孔,通過所述第三過孔與所述柵層引線電連接;?
在所述基板上形成第二絕緣層,在所述粘合區上方形成露出所述粘合區的第四過孔;?
在所述第二絕緣層上形成像素電極的同時,在焊墊區形成覆蓋所述第四過孔的透明導電層。?
另一方面,提供一種TFT陣列基板制造方法,包括:?
在基板上形成柵線的同時,在焊墊區形成相互連通的引線柵極;所述引線柵極的個數對應粘合區的個數;?
在所述基板上形成第一絕緣層;?
在所述第一絕緣層上形成半導體有源層的同時,在焊墊區形成位于所述引線柵極上方的引線半導體有源層;?
在所述基板上形成數據線層的同時,在焊墊區形成數據層引線,并針對每條數據層引線形成至少兩個粘合區,每個粘合區形成有位于所述引線半導體有源層上方的引線源極,還形成有與所述數據層引線連接的引線漏極,其中所述引線柵極、引線半導體有源層、引線源極和引線漏極構成引線區TFT;?
在所述基板上形成第二絕緣層,在所述粘合區上方形成露出所述粘合區的過孔;?
在所述第二絕緣層上形成像素電極的同時,在焊墊區形成覆蓋所述過孔的透明導電層。?
提供一種液晶顯示器包含以上所述的TFT陣列基板。?
本發明實施例提供一種TFT陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。該TFT陣列基板依次包括:柵線層、第一絕緣層、半導體有源層、數據線層、第二絕緣層和透明導電層;該TFT陣列基板的焊墊區包括至少一條引線,其中,每條引線與至少兩個位于數據線層的粘合區電連接。這樣,當其中一個發生腐蝕或者粘合不良的問題,造成信號無法傳輸到基板顯示區時,則另一個可以將驅動信號傳輸到基板顯示區,一定程度上解決了在焊墊區因腐蝕或者粘合不良造成的驅動信號不能傳輸到基板顯示區的問題,避免了出現畫面不良的現象,提高了生產效率。?
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹。顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。?
圖1為本發明實施例提供的一種TFT陣列基板的局部示意圖;?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京京東方光電科技有限公司,未經北京京東方光電科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110293236.5/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種新型腫瘤組織取樣器
- 下一篇:內分泌失調積液抽取器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





