[發明專利]一種單層ITO抗干擾的處理方法無效
| 申請號： | 201110293111.2 | 申請日： | 2011-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN102368187A | 公開（公告）日： | 2012-03-07 |
| 發明（設計）人： | 樊永召;金莉;張開立 | 申請（專利權）人： | 蘇州瀚瑞微電子有限公司 |
| 主分類號： | G06F3/041 | 分類號： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 215163 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單層 ito 抗干擾 處理 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種單層ITO抗干擾的處理方法，所述ITO層由若干個觸控電極塊組成，形成若干縱行和縱列，且均勻分布在玻璃基板上，其步驟如下：
首先，所述電極塊上引出的導線分別與所述玻璃基板的各個外圍處之間的間?
隙內布設一層ITO；
然后，將所述間隙內的ITO層接地，從而實現抗干擾的處理目的。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述間隙是指所述電極塊上引出的最外圍導線分別與所述玻璃基板的上、下、左、右四個方位處的空隙。
3.如權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述電極塊上引出的導線連接到與所述玻璃基板相貼合的電路板上的觸控芯片的相應引腳上。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述單層ITO掃描時，逐次掃描縱行和縱列，每次同時掃描兩行或者兩列，并獲取其差值。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述間隙內的ITO與觸控電極組成的ITO不相同。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述ITO層接地的具體方法如下：從所述間隙處的ITO上引出一根導線連接到與所述電路板上。
7.如權利要求6所述的方法，其特征在于：所述間隙處的ITO上引出一根導線連接到與所述電路板的接地線上。
8.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述觸控電極塊均呈正方形。
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