[發(fā)明專(zhuān)利]基板處理方法及基板處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110291535.5 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102610491A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-07-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 加藤雅彥;藤原直澄;宮勝?gòu)?/a> | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 大日本網(wǎng)屏制造株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/02 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/02;H01L21/67;B08B7/00 |
| 代理公司: | 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋曉寶;郭曉東 |
| 地址: | 日本國(guó)京*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 裝置 | ||
1.一種基板處理方法,其特征在于,包括:
凝固工序,一邊大致水平地保持著在上表面上附著有凝固對(duì)象液的基板并使該基板圍繞鉛垂軸旋轉(zhuǎn),一邊從噴嘴向所述基板的上表面供給溫度比所述凝固對(duì)象液的凝固點(diǎn)低的冷卻用氣體,從而使所述凝固對(duì)象液凝固,
融化工序,通過(guò)融化處理來(lái)去除在所述凝固工序中凝固的凝固對(duì)象液;
所述凝固工序包括:
初始凝固工序,從配置于初始位置的上方的所述噴嘴向所述初始位置供給所述冷卻用氣體,由此使從所述初始位置到所述基板的旋轉(zhuǎn)中心的初始區(qū)域上的凝固對(duì)象液凝固,該初始位置是指,相對(duì)于所述基板的旋轉(zhuǎn)中心位于所述基板的外緣側(cè)的位置,
噴嘴移動(dòng)工序,在所述初始凝固工序后,一邊從所述噴嘴供給所述冷卻用氣體,一邊使所述噴嘴向所述基板的外緣側(cè)進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1記載的基板處理方法,其特征在于,
所述初始位置是比所述基板的旋轉(zhuǎn)中心和所述基板的外緣的中間位置更靠近所述基板的旋轉(zhuǎn)中心的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2記載的基板處理方法,其特征在于,
在所述凝固工序中,從設(shè)置于所述噴嘴的前端部的氣體噴出口向所述基板的上表面供給所述冷卻用氣體,
從所述基板的旋轉(zhuǎn)中心到所述初始位置的距離為所述氣體噴出口的口徑的一半以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2記載的基板處理方法,其特征在于,
在所述凝固工序中,在從向所述初始位置供給所述冷卻用氣體起經(jīng)過(guò)了第一時(shí)間之后,使所述噴嘴開(kāi)始進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2記載的基板處理方法,其特征在于,
在所述凝固工序中,在從所述噴嘴移動(dòng)至所述基板的外緣附近的位置的上方起經(jīng)過(guò)了第二時(shí)間之后,停止供給所述冷卻用氣體。
6.一種基板處理裝置,其特征在于,包括:
基板保持單元,其將在上表面上附著有凝固對(duì)象液的基板保持為大致水平,
旋轉(zhuǎn)單元,其使由所述基板保持單元保持的所述基板圍繞鉛垂軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn),
冷卻用氣體供給單元,其具有能夠在由所述基板保持單元保持的所述基板的上表面的上方沿著所述基板的上表面自由地進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)的噴嘴,并且,從所述噴嘴向所述基板的上表面供給溫度比所述凝固對(duì)象液的凝固點(diǎn)低的冷卻用氣體,及
移動(dòng)單元,其使所述噴嘴沿著所述基板的上表面進(jìn)行相對(duì)移動(dòng);
在初始位置的上方配置所述噴嘴之后,所述移動(dòng)單元使所述噴嘴向所述基板的外緣側(cè)進(jìn)行相對(duì)移動(dòng),所述初始位置是指,相對(duì)于所述基板的旋轉(zhuǎn)中心位于所述基板的外緣側(cè)的位置,
在所述噴嘴從所述初始位置的上方開(kāi)始向所述基板的外緣側(cè)進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)前,所述冷卻用氣體供給單元從配置于所述初始位置的上方的所述噴嘴供給所述冷卻用氣體,以使從所述初始位置到所述基板的旋轉(zhuǎn)中心的初始區(qū)域上的凝固對(duì)象液凝固,
在所述噴嘴開(kāi)始向所述基板的外緣側(cè)進(jìn)行相對(duì)移動(dòng)后,所述冷卻用氣體供給單元從所述噴嘴供給所述冷卻用氣體,以使除了所述初始區(qū)域上的凝固對(duì)象液以外的凝固對(duì)象液凝固。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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