[發(fā)明專(zhuān)利]鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110291343.4
• 申請(qǐng)日: 2011-09-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102938372A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-02-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林智清;陳逸男;劉獻(xiàn)文
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/28
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11204
• 代理人: 余朦;王艷春

1.一種鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：

提供半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板上具有半導(dǎo)體島與介電層；

在所述半導(dǎo)體島及所述介電層上形成罩幕層；

在所述罩幕層內(nèi)形成開(kāi)口，所述開(kāi)口露出所述半導(dǎo)體島的頂面以及鄰近所述半導(dǎo)體島的所述介電層的部分頂面；

施行蝕刻程序，同時(shí)蝕刻所述罩幕層的一部分以及由所述開(kāi)口露出的部分半導(dǎo)體島與所述介電層；以及

移除所述罩幕層與所述介電層，在所述半導(dǎo)體基板上留下具有圓滑化頂面及不同厚度的、經(jīng)蝕刻的半導(dǎo)體島。

2.如權(quán)利要求1所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中在所述蝕刻程序中移除了特定厚度的所述罩幕層、所述半導(dǎo)體島及所述介電層。

3.如權(quán)利要求1所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述蝕刻程序使用對(duì)所述罩幕層、所述半導(dǎo)體島及所述介電層具有不同蝕刻率的蝕刻化學(xué)品。

4.如權(quán)利要求3所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述蝕刻程序中所使用的所述蝕刻化學(xué)品對(duì)所述罩幕層、所述半導(dǎo)體島及所述介電層之間具有蝕刻率的相對(duì)關(guān)系，而所述蝕刻率相對(duì)關(guān)系預(yù)先設(shè)定在施行所述蝕刻程序的蝕刻機(jī)內(nèi)。

5.如權(quán)利要求4所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述蝕刻程序的蝕刻時(shí)間是根據(jù)所述蝕刻化學(xué)品的所述蝕刻率的相對(duì)關(guān)系而預(yù)先設(shè)定的。

6.如權(quán)利要求5所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述蝕刻程序的蝕刻終點(diǎn)是由所述蝕刻程序的所述蝕刻時(shí)間所決定的。

7.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述蝕刻程序?yàn)楦晌g刻程序。

8.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述半導(dǎo)體基板與所述半導(dǎo)體島包括硅。

9.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述介電層包括氧化硅。

10.如權(quán)利要求1-5中任意一項(xiàng)所述的鰭形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，其中所述罩幕層包括氮化硅或阻劑。