[發(fā)明專利]一種確定中低能電子非彈性散射的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110291333.0
• 申請日: 2011-09-29
• 公開（公告）號: CN102507608A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張娜;崔萬照
• 申請（專利權(quán)）人: 西安空間無線電技術(shù)研究所
• 主分類號: G01N23/00
• 分類號: G01N23/00;G01N23/22
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 安麗

1.一種確定中低能電子非彈性散射的方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)根據(jù)電子發(fā)生非彈性散射前的電子能量E和非彈性散射中轉(zhuǎn)移的能量ΔE，確定與電子相互作用的等離子體激元的中心頻率上限ω_m；

(2)根據(jù)材料的光學(xué)能量損失函數(shù)在離散能量點(diǎn)E_pk上的值Im{-1/ε(E_p)}，確定E_m以內(nèi)離散能量點(diǎn)上的權(quán)重函數(shù)W(ΔE，E_pk)，E_m為中心頻率上限對應(yīng)的能量上限；

(3)根據(jù)離散能量點(diǎn)上的權(quán)重函數(shù)W(ΔE，E_pk)，按照線性插值的方法確定各等離子體激元與電子相互作用的0階貢獻(xiàn)和1階貢獻(xiàn)

(4)利用步驟(3)中得到的等離子體激元與電子作用的貢獻(xiàn)，確定轉(zhuǎn)移能量為ΔE的微分非彈性散射截面，并確定發(fā)生非彈性散射后的原電子散射角θ_IE及產(chǎn)生的二次電子散射角θ_SE。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種確定中低能電子非彈性散射的方法，其特征在于：所述步驟(1)中的E_m根據(jù)下式獲得，

Em2/3=(f+f-e3)2/3+(f-f-e3)2/3-ef>e3e(2cos(23arctane3f-1)-1)f≤e3]]>

其中：普朗克常量h＝6.626176×10^-34J/s；

e=0.1308E(1-1-δ)2;]]>

f=14E2(δ2-(1-1-δ)4);]]>

δ＝ΔE/E。