[發明專利]電子可擦除式只讀存儲器單元

有效

• 申請號: 201110291129.9
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102412132A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 鄭盛文;林建鋒;楊劍波;胡瑞德;S·許
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/423;H01L27/115
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成器件的方法，包含：

提供一襯底，其以通過隔離區域將單元面積與其它主動面積分隔的方式制備；

于該單元面積中形成第一晶體管及第二晶體管的第一柵極及第二柵極，其中，該第一柵極包括通過第一柵極間介電層分隔的第一及第二子柵極，且該第二柵極包括圍繞第一子柵極的第二子柵極，該第二柵極的該第一及第二子柵極是通過第二柵極間介電層分隔；

形成該第一及第二晶體管的第一及第二接面；

形成耦合至該第一晶體管的該第二子柵極的第一柵極終端；以及

形成耦合至該第二晶體管的至少該第一子柵極的第二柵極終端。

2.如權利要求1所述的方法，包含：

形成耦合至該第一晶體管的該第一接面的第一單元終端；以及

形成耦合至該第二晶體管的該第一接面的第二單元終端。

3.如權利要求2所述的方法，其中，

該第一晶體管作為控制柵極；

該第二晶體管作為選擇柵極；

該第二單元終端作為位線；以及

該第二柵極終端作為字線。

4.如權利要求1所述的方法，其中，形成該第一及該第二晶體管的該第二接面包含形成該第一及該第二晶體管的共同第二接面。

5.如權利要求1所述的方法，其中，

該第一晶體管作為控制柵極；

該第二晶體管作為選擇柵極；

耦合至該第二晶體管的第二單元終端作為位線；以及

該第二柵極終端作為字線。

6.如權利要求1所述的方法，其中，形成該第一及第二柵極包含：

形成第一子柵極層于該襯底上；

圖案化該第一子柵極層以形成該第一及第二柵極的第一子柵極；

形成共同柵極間介電層于覆蓋該第一子柵極的該襯底上，該共同柵極間介電層作為該第一及第二柵極的該第一及第二柵極間介電層；

形成第二子柵極層于覆蓋該共同柵極間介電層的該襯底上；以及

圖案化該第二子柵極層以形成第一及第二柵極，其中，該第一及第二柵極的該第二子柵極彎曲圍繞該第一及第二柵極的該第一子柵極。

7.如權利要求6所述的方法，其中，該第一及第二晶體管的該第一及第二接面包括重摻雜部分及自該第一柵極至該第二柵極延伸的輕摻雜延伸部分；以及

包含：

在形成該第一及第二柵極的該第一子柵極之后，形成該第一及第二接面的該輕摻雜延伸部分；以及

在形成該第一及第二柵極的該第二子柵極之后，形成該第一及第二接面的該重摻雜部分。

8.如權利要求7所述的方法，其中，彎曲圍繞該第二柵極的該第一子柵極的該第二子柵極增加從該第一子柵極的邊緣至該第一接面的該重摻雜部分的距離，以減少接面泄漏。

9.如權利要求6所述的方法，其中，圖案化該第二子柵極層亦形成該器件中其它晶體管的柵極。

10.如權利要求1所述的方法，包含在形成該第一子柵極層之前形成柵極介電層于該襯底上，其中，該柵極介電層包括在該第一柵極的該第一子柵極下方的一隧道窗口。

11.如權利要求10所述的方法，其中，形成該柵極介電層包含：

形成第一柵極介電層于該襯底上；

圖案化該第一柵極介電層以形成對應于該隧道窗口的開口；

形成第二柵極介電層于該第一柵極介電層之上，且覆蓋該開口以形成該隧道窗口。

12.如權利要求11所述的方法，其中，該第二柵極介電層亦作為該器件中其它晶體管的柵極介電層。

13.如權利要求1所述的方法，其中，該柵極間介電層包含氧化物-氮化物-氧化物堆棧。

14.如權利要求1所述的方法，其中，該第一柵極間介電層包含多層介電層。

15.如權利要求1所述的方法，其中，該第二柵極終端是耦合至該第二柵極的該第一及第二子柵極。

16.如權利要求1所述的方法，其中，該第二柵極終端是耦合至該第二柵極的該第一子柵極，而該第二柵極的該第二子柵極是浮接的。