[發明專利]介電堆棧

有效

• 申請號: 201110291111.9
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102412131A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 鄭盛文;胡瑞德;S·許;L·C·夏
• 申請（專利權）人: 新加坡商格羅方德半導體私人有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/8247;H01L29/423;H01L27/115
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種形成器件的方法，包含：

提供一襯底；

于該襯底上形成具有形成厚度T_FD的器件層；

于該襯底上形成具有形成厚度T_FC的蓋體層，其中形成該蓋體層消耗該器件層所需的量，以造成該器件層的厚度大約為目標厚度T_TD；以及

將該蓋體層的厚度自T_FC調整至大約目標厚度T_TC。

2.如權利要求1所述的方法，還包含在形成該器件層之前熱形成介電層。

3.如權利要求1所述的方法，還包含量測該T_FD以獲得量測的該器件層T_MD的量測厚度。

4.如權利要求3所述的方法，其中，該T_FC是由該T_MD決定或計算。

5.如權利要求1所述的方法，其中，將該T_FC調整至大約該T_TC包含蝕刻。

6.如權利要求1所述的方法，其中，該器件層包含電荷儲存層。

7.如權利要求1所述的方法，其中，該器件層包含氮化物材料，而該蓋體層包含熱成長氧化物材料。

8.如權利要求1所述的方法，其中，該器件層所消耗的量是取決于該蓋體層所成長的量。

9.如權利要求1所述的方法，其中，該蓋體層是通過熱氧化形成。

10.如權利要求1所述的方法，其中，形成該蓋體層包含選擇決定該T_FC及該器件層所消耗的量的配方。

11.如權利要求1所述的方法，其中，將該T_FC調整至大約該T_TC包含濕蝕刻或濕清洗。

12.一種器件，包含：

襯底；

第一器件層，其位在該襯底上包含目標厚度T_TFD；以及

第二器件層，其位在該襯底上且位在具有目標厚度T_TSD的該第一器件層上方，其中，該第二器件層的下層部分包含該第一器件層所消耗的上層部分。

13.如權利要求12所述的器件，其中，

該第一器件層包含第一介電材料；以及

該第二器件層包含第二介電材料。

14.如權利要求12所述的器件，其中，該第二器件層的頂面包含蝕刻表面。

15.如權利要求12所述的器件，包含第三器件層，其位在該第一器件層下方。

16.如權利要求15所述的器件，其中，該第一、第二及第三器件層形成介電堆棧。

17.如權利要求12所述的器件，其中，該厚度T_TFD及T_TSD是緊密關聯地受到控制。

18.一種形成器件的方法，包含：

于襯底上形成具有基底目標厚度T_TB的基底介電層；

于該基底介電層上形成儲存介電層，該儲存介電層具有儲存形成厚度T_FS；

于該儲存介電層上形成具有上層形成厚度T_FU的上層介電層，其中，形成該上層介電層消耗該儲存介電層所需的量，以產生具有儲存目標厚度T_TS的儲存介電層；以及

將該上層介電層的T_FU調整至大約上層目標厚度T_TU。

19.如權利要求18所述的器件，其中，調整T_FU包含蝕刻該上層介電層。

20.如權利要求19所述的器件，其中，該基底、儲存及上層介電層形成非易失存儲器的介電堆棧。