[發明專利]一種GaN-LED芯片結構及其制備方法

在審

• 申請號: 201110290772.X
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN103022311A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 肖志國;薛念亮;唐勇;武勝利;李倩影;孫英博;閆曉紅;劉偉
• 申請（專利權）人: 大連美明外延片科技有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種GaN-LED芯片結構，自下而上依次包括保護層、下反射層、第三粘附層、襯底、第一粘附層、上反射層、第二粘附層、緩沖層、N型GaN層和N型電極、多量子阱、P型GaN層和P型電極，其特征在于上反射層表面為周期圓柱狀圖形，圓柱直徑為1微米到2.5微米，兩圓柱間的距離為0.5微米到1.5微米，圓柱的高度為1微米到2微米。

2.如權利要求1所述一種GaN-LED芯片結構，其特征在于上反射層的材料為Ag、Al或Au，厚度為2微米到6微米。

3.如權利要求1所述一種GaN-LED芯片結構，其特征在于第一粘附層和第三粘附層的材料為Ni、Cr或Ti，厚度為0.001微米到0.005微米。

4.如權利要求1所述一種GaN-LED芯片結構，其特征在于第二粘附層的材料為Ni、Cr或Ti，厚度為0.001微米到0.01微米。

5.如權利要求1所述一種GaN-LED芯片結構，其特征在于下反射層的材料為Ag、Al或Au，厚度為1微米到3微米。

6.如權利要求1所述一種GaN-LED芯片結構的制備方法包括如下步驟：

1)選用藍寶石作為襯底，利用鍍膜機依次蒸鍍第一粘附層和上反射層；

2)利用光刻和ICP刻蝕方法將周期圖形轉移到上反射層上；ICP功率為2200W，RF功率為50W，腔體壓力為100mTorr；

3)利用鍍膜機蒸鍍第二粘附層；

4)采用金屬有機化學氣相沉積方法生長緩沖層、N型GaN層、多量子阱層和P型GaN層；

5)刻蝕出電極圖形，蒸鍍電極材料，形成N、P電極；

6)利用鍍膜機在襯底的背面依次蒸鍍第三粘附層、下反射層和保護層；利用激光切割機從襯底的背面進行切割，得到單個的芯片。