[發明專利]一種采用圖形化襯底的發光二極管的制備方法在審
| 申請號： | 201110290769.8 | 申請日： | 2011-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN103022277A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 肖志國;孫英博;武勝利;唐勇;李倩影;薛念亮;劉偉;閆曉紅 | 申請（專利權）人： | 大連美明外延片科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00 |
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| 地址： | 116025 遼*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 采用 圖形 襯底 發光二極管 制備 方法 | ||
1.一種采用圖形化襯底的發光二極管的制備方法包括以下步驟：
(1)清洗襯底；
(2)采用激光燒蝕的方式在襯底表面燒蝕出納米級準周期性結構；
(3)采用金屬有機化學氣相沉積方法進行外延層生長，外延層包括N型層、多量子阱層和P型層；
(4)采用光刻和刻蝕方法在外延層一側進行刻蝕直到N型層裸露，形成Mesa平臺；
(5)在P型層上沉積透明導電層，其厚度在100-3000nm；
(6)在前一步驟得到的結構上制備電極，厚度在1500-2000nm；
(7)沉積SiO2保護層，厚度在200-350nm；
(8)將晶圓減薄到100-200μm厚，切割成分立芯片；
其特征在于，步驟(2)所述激光燒灼為采用飛秒激光器進行的激光掃描燒蝕，激光脈寬為30-150fs，激光能量密度控制在0.05-0.9mJ/cm2，重復頻率為1-20000Hz，掃描速度為0.1-1mm/s。
2.如權利要求1所述的一種采用圖形化襯底的發光二極管的制備方法，其特征在于所述襯底為藍寶石、碳化硅或硅。
3.如權利要求1所述的一種采用圖形化襯底的發光二極管的制備方法，其特征在于所述納米級準周期性結構為蒙古包形、類圓錐形或類圓柱形。
4.如權利要求1所述的一種采用圖形化襯底的發光二極管的制備方法，其特征在于步驟(2)所述燒灼過程中襯底置于水中或者氣體環境中，所述氣體包括空氣、六氟化硫、氫氣、氧氣或氮氣。
5.如權利要求1所述的一種采用圖形化襯底的發光二極管的制備方法，其特征在于透明導電層材料為氧化銦錫、氧化鋅或金。
6.如權利要求1所述的一種采用圖形化襯底的發光二極管的制備方法，其特征在于電極材料為鋁、鋁/金、鎳/金、鈦/金、鉻/金、鉻/鉑/金、鎳/銀/鎳/金。
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