[發(fā)明專利]使用閾值邊緣檢測(cè)的相變存儲(chǔ)器狀態(tài)確定

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110290677.X
• 申請(qǐng)日: 2011-09-22
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102411992A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 阿斯溫·提魯文加達(dá)姆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 美光科技公司
• 主分類號(hào): G11C16/34
• 分類號(hào): G11C16/34
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 宋獻(xiàn)濤

1.一種方法，其包括：

響應(yīng)于讀取命令而增加施加到相變存儲(chǔ)器(PCM)單元的偏置信號(hào)的量值；

至少部分地基于所述PCM單元的單元電流及/或電壓的測(cè)量來(lái)推斷所述PCM單元的電阻的值；及

至少部分地基于當(dāng)增加所述量值時(shí)發(fā)生的所述電阻的改變來(lái)確定所述PCM單元的狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述確定所述PCM單元的所述狀態(tài)進(jìn)一步包括：

在當(dāng)增加所述量值時(shí)所述電阻沒(méi)有實(shí)質(zhì)降低的情形下，將所述狀態(tài)確定為包括設(shè)定狀態(tài)；及

在當(dāng)增加所述量值時(shí)所述電阻存在實(shí)質(zhì)降低的情形下，將所述狀態(tài)確定為包括復(fù)位狀態(tài)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述設(shè)定狀態(tài)對(duì)應(yīng)于所述PCM單元的實(shí)質(zhì)結(jié)晶狀態(tài)，且所述復(fù)位狀態(tài)對(duì)應(yīng)于所述PCM單元的實(shí)質(zhì)非晶狀態(tài)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述確定是否發(fā)生所述電阻的所述改變進(jìn)一步包括：

維持所述單元電流或電壓測(cè)量的至少一個(gè)先前值；及

將所述單元電流或電壓測(cè)量的所述至少一個(gè)先前值與所述單元電流或電壓的隨后測(cè)量的值相比較。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電阻的所述改變對(duì)應(yīng)于所述PCM單元的非晶狀態(tài)的閾值邊緣。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述偏置信號(hào)包括單個(gè)斜坡脈沖。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中將所述偏置信號(hào)施加到所述PCM單元的位線。

8.一種非易失性存儲(chǔ)器控制器，其包括：

至少一個(gè)接口，其用以連接到相變存儲(chǔ)器(PCM)單元陣列；及

電子電路，其用以執(zhí)行以下操作：

響應(yīng)于讀取命令而增加施加到所述PCM單元陣列中的至少一者的偏置信號(hào)的量值；

至少部分地基于所述PCM單元中的所述至少一者的單元電流及/或電壓的測(cè)量來(lái)推斷所述PCM單元中的所述至少一者的電阻的值；及

至少部分地基于當(dāng)增加所述量值時(shí)發(fā)生的所述電阻的改變來(lái)確定所述PCM單元中的所述至少一者的狀態(tài)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)器控制器，其中在當(dāng)增加所述量值時(shí)所述電阻沒(méi)有實(shí)質(zhì)降低的情形下所述狀態(tài)包括設(shè)定狀態(tài)；且其中在當(dāng)增加所述量值時(shí)所述電阻存在實(shí)質(zhì)降低的情形下所述狀態(tài)包括復(fù)位狀態(tài)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非易失性存儲(chǔ)器控制器，其中所述設(shè)定狀態(tài)對(duì)應(yīng)于所述PCM單元中的所述至少一者的實(shí)質(zhì)結(jié)晶狀態(tài)，且所述復(fù)位狀態(tài)對(duì)應(yīng)于所述PCM單元中的所述至少一者的實(shí)質(zhì)非晶狀態(tài)。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)器控制器，其進(jìn)一步包括用以執(zhí)行以下操作的電路：

維持所述單元電流或電壓測(cè)量的至少一個(gè)先前值；及

將所述單元電流或電壓測(cè)量的所述至少一個(gè)先前值與所述單元電流或電壓的隨后測(cè)量的值相比較。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)器控制器，其中所述電阻的所述改變對(duì)應(yīng)于所述PCM單元中的所述至少一者的非晶狀態(tài)的閾值邊緣。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的非易失性存儲(chǔ)器控制器，其中所述偏置信號(hào)包括單個(gè)斜坡脈沖。

14.一種系統(tǒng)，其包括：

存儲(chǔ)器裝置，其包括相變存儲(chǔ)器(PCM)單元陣列，所述相變存儲(chǔ)器單元包括相變材料，所述存儲(chǔ)器裝置進(jìn)一步包括用以執(zhí)行以下操作的存儲(chǔ)器控制器：

響應(yīng)于讀取命令而增加施加到所述PCM單元中的至少一者的偏置信號(hào)的量值；

至少部分地基于所述PCM單元中的所述至少一者的單元電流及/或電壓的測(cè)量來(lái)推斷所述PCM單元中的所述至少一者的電阻的值；及

至少部分地基于當(dāng)增加所述量值時(shí)發(fā)生的所述電阻的改變來(lái)確定所述PCM單元中的所述至少一者的狀態(tài)；及

處理器，其用以代管一個(gè)或一個(gè)以上應(yīng)用程序且用以起始到所述存儲(chǔ)器控制器的所述讀取命令以提供對(duì)所述存儲(chǔ)器單元陣列中的所述存儲(chǔ)器單元的存取。