[發明專利]一種緩釋型青霉素陰離子插層水滑石材料及其制備和應用無效

申請號：	201110290535.3	申請日：	2011-09-23
公開（公告）號：	CN102499249A	公開（公告）日：	2012-06-20
發明（設計）人：	王毅;張盾	申請（專利權）人：	中國科學院海洋研究所
主分類號：	A01N43/90	分類號：	A01N43/90;A01N25/08;A01P1/00;C09D5/14
代理公司：	沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002	代理人：	周秀梅;李穎
地址：	266071***	國省代碼：	山東;37
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種緩釋型青霉素陰離子插層水滑石材料及其制備應用
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【說明書】：

技術領域

本發明涉及抗菌技術，具體的說是一種緩釋型青霉素陰離子插層水滑石材料及其制備和應用。

背景技術

材料表面微生物覆蓋層的出現，稱之為微生物污損。這種覆蓋層被稱之為生物膜。在海洋環境中僅因硫酸鹽還原菌產生的微生物腐蝕作用使石油工業的生產、運輸和貯存設備每年遭受的損失就達數億美元。而據不完全統計，微生物腐蝕損失占總腐蝕損失的20％左右。

防護涂層是最常用的微生物污損防護方法，其功能主要通過殺菌劑實現的。但是，傳統的殺菌劑由于高毒性，已經被逐漸禁用或限用。因此，開發新的環境友好型防護技術勢在必行。近年來，新型環境友好型殺菌劑由于其高效、綠色的特性而引起人們廣泛關注。但是其存在光熱穩定性差、制成涂層后易失活的特點，這限制了其的進一步應用。

水滑石(layered?double?hydroxides，LDHs)是一種典型的層狀陰離子型粘土，由于其具有良好的層間離子可交換性，具有分子容器的特征，近年來引起了人們的廣泛關注。

發明內容

本發明的目的是提供一種緩釋型青霉素陰離子插層水滑石材料及其制備和應用。

為實現上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種緩釋型青霉素陰離子插層水滑石材料：所述水滑石材料化學組成通式為[M²⁺_1-xM³⁺_x(OH)₂]^x+(C₁₆H₁₇N₂O₄S^-)_x·nH₂O，M²⁺為Mg²⁺、Zn²⁺、Ni²⁺、Fe²⁺或Mn²⁺的二價金屬離子；M³⁺為Al³⁺、Cr³⁺、Fe³⁺、V³⁺、Co³⁺、Ga³⁺或Ti³⁺的三價金屬離子；M²⁺/M³⁺的摩爾比為1.6～4.5；0.2≤x≤0.4。

所述M²⁺為Mg²⁺二價金屬離子。

所述M³⁺為Al³⁺三價金屬離子。

緩釋型青霉素陰離子插層水滑石材料的制備方法：

1)將M²⁺的可溶性鹽和M³⁺的可溶性鹽，按M²⁺/M³⁺摩爾比為2～4的比例溶于脫CO₂的去離子水中配成混合鹽溶液，使混合鹽溶液中M²⁺的濃度為0.10～1.00mol/L，待用；

2)將NaOH溶于脫CO₂的去離子水中配制成濃度為2～6mol/L的堿溶液，待用；

3)將步驟1)和步驟2)上述兩種溶液在N₂保護下混合，并攪拌30～60分鐘；

4)將上述混合得到的漿液于120～150℃條件下晶化10～16小時，用脫CO₂的去離子水洗滌，過濾，取濾餅加入到青霉素鉀鹽的脫CO₂的去離子水溶液中在N₂保護下于室溫離子交換24～48小時，而后用脫CO₂的去離子水洗滌，過濾，將濾餅在室溫下真空干燥12～24小時，得到化學組成通式為[M²⁺_1-xM³⁺_x(OH)₂]^x+(C₁₆H₁₇N₂O₄S^-)_x·nH₂O的青霉素陰離子插層水滑石。