[發(fā)明專利]具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件與其制作方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110289739.5 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102468383A | 公開(kāi)(公告)日: | 2012-05-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳銘勝;梁文燈 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 隆達(dá)電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/00 | 分類號(hào): | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司: | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人: | 壽寧;張華輝 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 子簇 固態(tài) 發(fā)光 組件 與其 制作方法 | ||
1.一種具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該制作方法包含:
(a)在一塊基板上形成一層具有第一型半導(dǎo)體性質(zhì)的第一披覆層;
(b)在該第一披覆層的頂面形成一層晶體層,該晶體層具有多個(gè)獨(dú)立地形成于該晶體層頂面的凹部;
(c)自所述凹部填覆滿在提供電能時(shí)產(chǎn)生光的量子簇柱,而使該晶體層頂面與所述量子簇柱頂面共同成為一個(gè)實(shí)質(zhì)平坦的平面;
(d)自該實(shí)質(zhì)平坦的平面向上形成一層具有第二型半導(dǎo)體性質(zhì)的第二披覆層;及
(e)形成一組與該第一、二披覆層電連接而可自外界對(duì)該形成有多個(gè)量子簇柱的晶體層提供電能的電極單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該步驟(b)是以外延方式自該第一披覆層頂面向上形成厚度不大于50nm且具有所述凹部的晶體層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該步驟(b)中所述凹部的直徑是1nm-10nm、深度是1nm-10nm,且分布密度是1×1010cm-2-5×1013cm-2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該步驟(c)以外延方式形成所述量子簇柱而使得該晶體層頂面與所述量子簇柱頂面共同成為粗糙度不大于2nm的平面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4中任一權(quán)利要求所述的具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該制作方法還包括一個(gè)步驟(f),在實(shí)施該步驟(d)形成該第二披覆層之前,形成有所述量子簇柱的該晶體層上依序再形成一層阻障層及一層具有多個(gè)凹部的晶體層后重復(fù)實(shí)施該步驟(c),而形成多層分別填覆有所述量子簇柱的晶體層。
6.一種具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該制作方法包含
(a)在一塊基板上形成一層具有第一型半導(dǎo)體性質(zhì)的第一披覆層;
(b)在該第一披覆層的頂面向上形成一層量子簇發(fā)光層;
(c)移除該量子簇發(fā)光層部分結(jié)構(gòu)而成為多個(gè)獨(dú)立并在接受電能時(shí)產(chǎn)生光子的量子簇柱;
(d)自該第一披覆層的頂面向上形成一層供所述量子簇柱嵌填其中的晶體層,直到該晶體層的頂面與所述量子簇柱的頂面共同成為一個(gè)實(shí)質(zhì)平坦的平面;
(e)自該實(shí)質(zhì)平坦的平面向上形成一層具有第二型半導(dǎo)體性質(zhì)的第二披覆層;及
(f)形成一組與該第一、二披覆層電連接而可自外界對(duì)該形成有多個(gè)量子簇柱的晶體層提供電能的電極單元。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該步驟(b)以外延方式在該第一披覆層頂面形成厚度為1nm-10nm的量子簇發(fā)光層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該步驟(c)中所述量子簇柱其外徑為1nm-10nm、高度為1nm-10nm,且分布密度是1×1010cm-2-5×1013cm-2。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該步驟(d)以外延方式形成該晶體層而使得該晶體層頂面與所述量子簇柱頂面共同成為粗糙度是不大于2nm的平面。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或9中任一權(quán)利要求所述的具有量子簇柱的固態(tài)發(fā)光組件的制作方法,其特征在于:該制作方法還包括一個(gè)步驟(g),該步驟(g)是在實(shí)施該步驟(e)形成該第二披覆層之前,于該晶體層頂面與所述量子簇柱頂面依序再形成一層阻障層及一層量子簇發(fā)光層后重復(fù)實(shí)施該步驟(c)、(d),而成為多層疊置且分別形成有所述量子簇柱的晶體層。
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