[發明專利]一種用于LTE基站系統的低功耗方法及系統

在審

• 申請號: 201110289383.5
• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN102348264A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 閆鵬周;曲薇嘉;許振華;葉少強
• 申請（專利權）人: 中興通訊股份有限公司
• 主分類號: H04W52/02
• 分類號: H04W52/02;H04W88/08
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 胡海國

1.一種用于LTE基站系統的低功耗方法，其特征在于，包括：

針對LTE基帶信號進行以符號時長為周期的快速功率計算，獲取其相應的功率；

依據預先設定的功率查詢時間，統計該時間段內的最大的符號功率；

依據所述最大符號功率獲取其相應的功率等級，并依據該功率等級查詢功率等級與功放電壓邏輯映射表，獲取功放校準電壓值；

依據所述功放校準電壓值調節功放的實際輸入電壓。

2.如權利要求1所述的用于LTE基站系統的低功耗方法，其特征在于，在執行所有步驟之前，還包括：

LTE基站系統啟動時，測試不同電壓下該LTE基站系統通道的增益，獲得電壓增益對應表。

3.如權利要求2所述的用于LTE基站系統的低功耗方法，其特征在于，還包括：

當所述功放校準電壓值大于功放的實際輸入電壓，并且功放校準電壓值和實際輸入電壓值不在同一個電壓等級范圍時，對所述功放的實際輸入電壓執行升壓處理。

4.如權利要求3所述的用于LTE基站系統的低功耗方法，其特征在于，所述升壓處理包括如下步驟：

對DPD模塊進行自適應暫停處理；

根據功放校準電壓值設置其對應的DPD削峰門限；

根據功放校準電壓值查詢電壓增益對應表，獲取其對應的增益，并對系統進行增益補償處理；

將功放的實際輸入電壓值調整到與所述功放校準電壓值一致；

對DPD模塊返回自適應穩態進行處理。

5.如權利要求2所述的用于LTE基站系統的低功耗方法，其特征在于，還包括：

當所述功放校準電壓值小于功放的實際輸入電壓，并且功放校準電壓值和實際輸入電壓值不在同一個電壓等級范圍時，對所述功放的實際輸入電壓執行降壓處理。

6.如權利要求5所述的用于LTE基站系統的低功耗方法，其特征在于，所述降壓處理包括如下步驟：

對DPD模塊進行自適應暫停處理；

將功放的實際輸入電壓值調整到與所述功放校準電壓值一致；

根據所述功放校準電壓值設置對應的DPD削峰門限；

根據所述功放校準電壓值查詢電壓增益對應表，獲取其對應的增益，并對系統進行增益補償處理；

對DPD模塊返回自適應穩態進行處理。

7.一種用于LTE基站系統的低功耗系統，其特征在于，包括：

功率獲取模塊，用于針對LTE基帶信號進行以符號時長為周期的快速功率計算，獲取其相應的功率；

功率統計模塊，用于依據預先設定的功率查詢時間，統計該時間段內的最大的符號功率；

功放校準電壓值計算模塊，用于依據所述最大符號功率獲取其相應的功率等級，并依據該功率等級查詢功率等級與功放電壓邏輯映射表，獲取功放校準電壓值；

功放實際電壓獲取模塊，用于獲取功放的實際輸入電壓值；

處理模塊，用于依據所述功放校準電壓值以及功放的實際輸入電壓值，向電壓調節模塊發送電壓調節信號；

電壓調節模塊，用于依據所述電壓調節信號調節功放的實際輸入電壓。

8.如權利要求7所述的用于LTE基站系統的低功耗系統，其特征在于，還包括：

電壓增益對應表獲取模塊，用于當LTE基站系統啟動時，測試不同電壓下該LTE基站系統通道的增益，獲得電壓增益對應表。

9.如權利要求8所述的用于LTE基站系統的低功耗系統，其特征在于，所述電壓調節模塊包括升壓模塊，當所述處理模塊判斷所述功放校準電壓值大于功放的實際輸入電壓，并且功放校準電壓值和實際輸入電壓值不在同一個電壓等級范圍內時，所述處理模塊向該升壓模塊發送升壓調節信號，所述升壓模塊依據升壓調節信號對所述功放的實際輸入電壓執行升壓處理。

10.如權利要求9所述的用于LTE基站系統的低功耗系統，其特征在于，所述升壓模塊執行對功放的實際輸入電壓進行升壓處理的步驟包括：

對DPD模塊進行自適應暫停處理；

根據功放校準電壓值設置其對應的DPD削峰門限；

根據功放校準電壓值查詢電壓增益對應表，獲取其對應的增益，并對系統進行增益補償處理；

依據所述功放校準電壓值對應的增益，將功放的實際輸入電壓值調整到與所述功放校準電壓值一致；

對DPD模塊返回自適應穩態進行處理。