[發明專利]用于補償磁噪聲的系統與方法有效
| 申請號: | 201110289040.9 | 申請日: | 2011-09-14 |
| 公開(公告)號: | CN102810494A | 公開(公告)日: | 2012-12-05 |
| 發明(設計)人: | K·奇科;A·利特曼;Y·納春 | 申請(專利權)人: | 應用材料以色列公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陸嘉;邢德杰 |
| 地址: | 以色列瑞*** | 國省代碼: | 以色列;IL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 補償 噪聲 系統 方法 | ||
1.一種用于粒子束的噪聲補償方法,該方法包括以下步驟:
藉由至少兩個傳感器在至少一個預定頻帶內感測磁噪聲,以提供磁噪聲測量值,所述至少兩個傳感器彼此間隔;
基于所述磁噪聲測量值及磁噪聲值和粒子束位置誤差值間的關系,產生磁噪聲補償信號;及
響應于期望粒子束掃描圖案及所述磁噪聲補償信號,藉由所述粒子束掃描物體。
2.如權利要求1所述的方法,還包括以下步驟:
界定或接收實際掃描圖案,使得所述期望粒子束掃描圖案在存在所述磁噪聲的情況下獲得;及
藉由沿著所述實際掃描圖案引導所述粒子束掃描所述物體。
3.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述磁噪聲補償信號被產生使得相對于所述磁噪聲實際偏移180度。
4.如權利要求2所述的方法,還包括以下步驟:
延遲磁噪聲測量值約180度以提供延遲信號,并應用增益函數于所述延遲信號,以提供所述磁噪聲補償信號。
5.如權利要求1所述的方法,還包括以下步驟:
在產生所述磁噪聲補償信號之前,基于所述磁噪聲測量值及磁噪聲值和粒子束位置誤差值間的關系來計算所述磁噪聲補償信號。
6.如權利要求1所述的方法,還包括以下步驟:
掃描已知形狀的圖案且不應用噪聲補償,以獲得實際圖像;及
基于所述已知形狀與所述實際圖像間的差異估計至少一些所述磁噪聲值和至少一些所述粒子束位置誤差值間的關系。
7.如權利要求6所述的方法,還包括以下步驟:
沿著圓形掃描圖案掃描包括兩線的圖案且不應用噪聲補償,以獲得所述實際圖像,其中所述兩線彼此垂直。
8.如權利要求1所述的方法,還包括以下步驟:
藉由包含至少一個傳感器的第一組傳感器在第一預定頻帶內感測所述磁噪聲;及
藉由包含至少一個傳感器、且不同于所述第一組傳感器的第二組傳感器在與所述第一預定頻帶不同的第二預定頻帶內感測所述磁噪聲。
9.一種系統,該系統包括:
至少兩個傳感器,所述至少兩個傳感器彼此間隔且經配置以在至少一個預定頻帶內感測磁噪聲,以提供磁噪聲測量值;
噪聲補償模塊,所述噪聲補償模塊經配置以基于所述磁噪聲測量值及所述磁噪聲值和粒子束位置誤差值間的關系,產生磁噪聲補償信號;及
粒子束掃描器,所述粒子束掃描器經配置以響應于期望粒子束掃描圖案及所述磁噪聲補償信號用粒子束掃描物體。
10.如權利要求9所述的系統,其特征在于,所述粒子束掃描器經配置以接收實際掃描圖案,使得所述期望粒子束掃描圖案在存在所述磁噪聲的情況下獲得;及
藉由沿著所述實際掃描圖案引導該粒子束掃描所述物體。
11.如權利要求9所述的系統,其特征在于,所述噪聲補償模塊經配置以產生所述磁噪聲補償信號,所述磁噪聲補償信號相對于所述磁噪聲實質偏移180度。
12.如權利要求11所述的系統,其特征在于,所述噪聲補償模塊經配置以延遲磁噪聲測量值約180度以提供延遲信號,并應用增益函數于所述延遲信號以提供所述磁噪聲補償信號。
13.如權利要求9所述的系統,其特征在于,所述噪聲補償模塊經配置以在產生所述磁噪聲補償信號之前,基于所述磁噪聲測量值及磁噪聲值和粒子束位置誤差值間的關系來計算磁噪聲補償信號。
14.如權利要求9所述的系統,其特征在于,所述粒子束掃描器經配置以掃描已知形狀的圖案且不應用噪聲補償,以獲得實際圖像;且其中所述噪聲補償模塊經配置以基于所述已知形狀與所述實際圖像間的差異來估計至少一些所述磁噪聲值和至少一些粒子束位置誤差值間的關系。
15.如權利要求9所述的系統,其特征在于,所述粒子束掃描器經配置以沿著圓形掃描圖案掃描包括兩線的圖案且不應用噪聲補償,以獲得實際圖像,所述兩線彼此垂直。
16.如權利要求9所述的系統,所述系統包括第一組傳感器,所述第一組傳感器經配置以在第一預定頻帶內感測所述磁噪聲;及第二組傳感器,所述第二組傳感器經配置以在與所述第一預定頻帶不同的第二預定頻帶內感測所述磁噪聲。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





