[發明專利]一種用于離子中性化的網板結構

有效

• 申請號: 201110289007.6
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN102332385A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 席峰;李勇滔;李楠;張慶釗;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01J37/02;C23F4/00
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種用于離子中性化的網板結構，所述網板結構包括上網板和中性化網板，其特征在于，所述中性化網板上設置有多個網孔，所述中性化網板橫截面的上下表面不同區域的厚度分布形式不同。

2.如權利要求1所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板橫截面的上下表面不同區域的厚度分布形式為：所述中性化網板橫截面上表面為凸狀弧形，下表面為水平，中間厚，邊緣薄。

3.如權利要求1所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板橫截面的上下表面不同區域的厚度分布形式為：所述中性化網板橫截面上表面為凹狀弧形，下表面為水平，中間薄，邊緣厚。

4.如權利要求1所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板橫截面的上下表面不同區域的厚度分布形式為：所述中性化網板橫截面上下表面均為凸狀弧形，中間厚，邊緣薄。

5.如權利要求1所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板橫截面的上下表面不同區域的厚度分布形式為：所述中性化網板橫截面上下表面為凹狀弧形，中間薄，邊緣厚。

6.如權利要求1所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板橫截面的上下表面不同區域的厚度分布形式為：所述中性化網板橫截面上表面為波浪狀，下表面為凸狀弧形。

7.如權利要求1所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板橫截面的上下表面不同區域的厚度分布形式為：所述中性化網板橫截面上表面為波浪狀，下表面為水平。

8.如權利要求1所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板橫截面的上下表面不同區域的厚度分布形式為：所述中性化網板橫截面上表面為波浪狀，下表面為凹狀弧形。

9.如權利要求1所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板的厚度為0.1～500mm；所述中性化網板由低濺射導電材料制成；所述網孔為圓柱形網孔，所述圓柱形網孔的直徑為0.1～50mm；所述網孔的間距為0-10mm；所述上網板和中性化網板的電阻率為0.5μΩm～100μΩm，抗折強度為10Mpa～200Mpa，表面光潔度為Ra0.2～Ra?6.3μm。

10.如權利要求9所述的用于離子中性化的網板結構，其特征在于，所述中性化網板的厚度為0.1-500mm；所述低濺射導電材料為石墨、碳纖維、碳化硅或鉬；所述圓柱形網孔的直徑為0.1-3mm；所述網孔的間距為0.1-5mm。