[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110288984.4
• 申請(qǐng)日: 2011-09-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102332495A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萬(wàn)青;竺立強(qiáng);張洪亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18
• 代理公司: 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，首先，對(duì)p型晶體硅片或n型晶體硅片進(jìn)行清洗制絨處理；然后，利用薄膜沉積技術(shù)，在p型晶體硅片的前表面沉積含磷的氮化硅薄膜，背表面沉積氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，或者在n型晶體硅片的前表面沉積氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜，背表面沉積含磷的氮化硅薄膜；接著，將該沉積薄膜的p型晶體硅片或n型晶體硅片進(jìn)行高溫退火處理，使氮化硅薄膜中的磷元素，以及氮化硼薄膜或者含硼的氮化硅薄膜中的硼元素?cái)U(kuò)散進(jìn)入晶體硅片內(nèi)部，從而使p型晶體硅片形成N⁺PP⁺結(jié)構(gòu)，n型晶體硅片形成P⁺NN⁺結(jié)構(gòu)；最后，制備金屬電極完成電池制作。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征是：所述的薄膜沉積技術(shù)采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征是：所述的高溫退火處理的溫度為750℃～1200℃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征是：所述的p型晶體硅片前表面的含磷氮化硅薄膜的厚度為60nm～90nm、背表面的含硼氮化硅薄膜或者氮化硼薄膜的厚度為50nm～200nm；所述的n型晶體硅片前表面的含硼氮化硅薄膜或者氮化硼薄膜的厚度為60nm～90nm、背表面的含磷氮化硅薄膜的厚度為50nm～200nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶體硅太陽(yáng)能電池的制作方法，其特征是：所述的N⁺PP⁺結(jié)構(gòu)中，N型發(fā)射極的方塊電阻為50～200歐姆/方塊；所述的P⁺NN⁺結(jié)構(gòu)中，P型發(fā)射極的方塊電阻為50～200歐姆/方塊。