[發(fā)明專利]化學(xué)機(jī)械拋光方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110288857.4
• 申請(qǐng)日: 2011-09-23
• 公開（公告）號(hào): CN102328272A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 路新春;王同慶;曲子濂;何永勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 清華大學(xué)
• 主分類號(hào): B24B37/02
• 分類號(hào): B24B37/02;B24B49/02
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，包括：

A)利用終點(diǎn)測(cè)量裝置測(cè)量晶圓上的多個(gè)點(diǎn)的膜厚前值；

B)根據(jù)所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚前值對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；和

C)利用所述終點(diǎn)測(cè)量裝置測(cè)量所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚后值，并根據(jù)所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚后值來(lái)判斷所述晶圓的表面拋光厚度是否均勻，如果所述晶圓的表面拋光厚度不均勻，則根據(jù)所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚前值與膜厚后值的差值對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光直至所述晶圓的表面拋光厚度均勻。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述步驟A)包括：

A-1)利用拋光頭夾持所述晶圓并使所述晶圓與拋光墊接觸，其中所述晶圓的中心與所述終點(diǎn)測(cè)量裝置對(duì)應(yīng)；和

A-2)所述拋光頭自轉(zhuǎn)且相對(duì)于所述拋光墊往復(fù)運(yùn)動(dòng)以使所述終點(diǎn)測(cè)量裝置測(cè)量所述晶圓上的所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚前值，其中所述拋光墊靜止。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述步驟C)包括：

C-1)利用所述拋光頭夾持所述晶圓并使所述晶圓與所述拋光墊接觸，其中所述晶圓的中心與所述終點(diǎn)測(cè)量裝置對(duì)應(yīng)；

C-2)所述拋光頭自轉(zhuǎn)且相對(duì)于所述拋光墊往復(fù)運(yùn)動(dòng)以使所述終點(diǎn)測(cè)量裝置測(cè)量所述晶圓上的所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚后值，其中所述拋光墊靜止；

C-3)計(jì)算所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚后值中的最大值與最小值的差值，如果所述最大值與所述最小值的差值不大于預(yù)定值，則所述晶圓的表面拋光厚度均勻，否則所述晶圓的表面拋光厚度不均勻；和

C-4)如果所述晶圓的表面拋光厚度不均勻，分別計(jì)算所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚前值與膜厚后值的差值以便得到所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚去除值，根據(jù)所述多個(gè)點(diǎn)的膜厚去除值對(duì)所述晶圓進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光直至所述最大值與所述最小值的差值不大于所述預(yù)定值。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述預(yù)定值為100納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述往復(fù)運(yùn)動(dòng)為往復(fù)平移。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述拋光頭沿所述拋光墊的徑向往復(fù)平移。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述往復(fù)平移的行程為50mm-300mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述往復(fù)運(yùn)動(dòng)的頻率為5次/分鐘-40次/分鐘。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述往復(fù)運(yùn)動(dòng)的頻率為10次/分鐘-30次/分鐘。

10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的化學(xué)機(jī)械拋光方法，其特征在于，所述拋光頭的轉(zhuǎn)速為60rpm-120rpm。