[發明專利]一種熱釋電紅外探測器及其制備方法無效
| 申請號： | 201110288708.8 | 申請日： | 2011-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN102393249A | 公開（公告）日： | 2012-03-28 |
| 發明（設計）人： | 梁庭;楊玉華;薛晨陽;雷程;楊緒軍;張文棟;劉俊;熊繼軍 | 申請（專利權）人： | 中北大學 |
| 主分類號： | G01J5/10 | 分類號： | G01J5/10 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 030051*** | 國省代碼： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 熱釋電 紅外探測器 及其 制備 方法 | ||
1.一種熱釋電紅外探測器，其特征在于，包括硅襯底(1)、硅襯底(1)表面的絕熱層(2)、鍵合層(3)、熱釋電材料片(4)、上電極層(6)及紅外吸收層(7)，其中所述硅襯底(1)的絕熱層(2)和所述熱釋電材料片(4)通過所述鍵合層(3)鍵合在一起。
2.根據權利要求1所述的熱釋電紅外探測器，其特征在于，所述鍵合層(3)采用金屬介質，并且作為探測器的下電極層。
3.根據權利要求2所述的熱釋電紅外探測器，其特征在于，所述金屬介質包括Au-Sn合金或者焊錫。
4.根據權利要求1所述的熱釋電紅外探測器，其特征在于，所述絕熱層(2)是采用射頻濺射法在氬氣氣氛下在所述硅襯底(1)上制備的二氧化硅膜層。
5.根據權利要求1所述的熱釋電紅外探測器，其特征在于，所述熱釋電材料片(4)采用熱釋電鈮酸鋰晶體、鈮酸鍶鋇、鉭酸鋰晶體、硫酸甘氨酸晶體或者硫酸鋰晶體等熱釋電晶體材料。
6.根據權利要求5所述的熱釋電紅外探測器，其特征在于，所述熱釋電材料片(4)經過研磨法減薄。
7.根據權利要求1所述的熱釋電紅外探測器，其特征在于，所述硅襯底(1)為凳型微橋結構。
8.一種熱釋電紅外探測器制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1，采用射頻濺射法在氬氣氣氛下將硅襯底(1)的表面生成二氧化硅膜層作為絕熱層(2)；步驟2，將硅襯底(1)的所述絕熱層(2)與熱釋電材料片(4)相鍵合，所述熱釋電材料片(4)采用熱釋電鈮酸鋰晶體、鈮酸鍶鋇、鉭酸鋰晶體、硫酸甘氨酸晶體或者硫酸鋰晶體等熱釋電晶體材料；
步驟3，所述熱釋電材料片(4)經過研磨法減薄，然后通過光刻膠掩蔽和直流濺射工藝在所述熱釋電材料片(4)上面制作上電極層(6)及紅外吸收層(7)；
步驟4，對所述硅襯底(1)進行刻蝕形成凳形微橋結構。
9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述步驟2中采用金屬介質鍵合所述絕熱層(2)與熱釋電材料片(4)，并且所述金屬介質形成的鍵合層作為探測器的下電極層。
10.根據權利要求9所述的制備方法，其特征在于，所述金屬介質包括Au-Sn合金或者焊錫。
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