[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管及其制造方法

有效

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• 申請日: 2011-09-27
• 公開（公告）號: CN103022288A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 齊繼航;張旺
• 申請（專利權(quán)）人: 比亞迪股份有限公司
• 主分類號: H01L33/06
• 分類號: H01L33/06;H01L33/42;H01L33/10;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括：

導電襯底；

位于導電襯底上的導電層；

位于導電層上的N型摻雜的GaN層；

位于N型摻雜的GaN層上的發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個量子阱發(fā)光單元；

位于發(fā)光層上的P型摻雜的GaN層；

位于P型摻雜的GaN層上的透明導電層；

位于透明導電層上的金屬接觸電極；所述三個量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍光；在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元?????????????????????????????????????????????????????????????????????????上部的透明導電層上設置有紅色熒光粉。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述發(fā)光層為GaN層和含In離子的GaN層形成的周期性層疊結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述GaN層的厚度為6-15nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述含In離子的GaN層的厚度為2-5nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，相鄰的量子阱發(fā)光單元之間設置有增反膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述導電襯底的材料為金屬或者導電的非金屬。

7.一種發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：提供N型摻雜的GaN層，在所述N型摻雜的GaN層正面上制作發(fā)光層，所述發(fā)光層包括三個量子阱發(fā)光單元，所述三個量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍光；

步驟二：在所述發(fā)光層上沉積P型摻雜的GaN層，然后在P型摻雜的GaN層上沉積透明導電層；

步驟三：在上述N型摻雜的GaN層反面沉積共晶金屬；提供一導電襯底，在導電襯底上沉積共晶金屬，將上述兩共晶金屬進行共晶處理形成導電層；

步驟四：在發(fā)紫外光的量子阱發(fā)光單元上部的透明導電層上進行刻蝕，在該刻蝕區(qū)域上涂覆紅色熒光粉；

步驟五：在上述透明導電層的部分區(qū)域上沉積金屬形成接觸電極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述制作發(fā)光層的步驟包括：步驟A：在N型摻雜的GaN層正面依次生長第一GaN層、第二GaN層，步驟B：在第二GaN層上分三個區(qū)域注入不同濃度的In離子，重復上述步驟A和步驟B，形成三個量子阱發(fā)光單元，所述三個量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍光。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述第一GaN層的厚度為6-15nm。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述第二GaN層的厚度為2-5nm。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，在所述步驟二之前還包括步驟：在相鄰的量子阱發(fā)光單元的接觸部進行刻蝕，然后在刻蝕的區(qū)域沉積增反膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述三個量子阱發(fā)光單元依次排列，所述增反膜為對應中間位置的量子阱發(fā)光單元發(fā)光顏色的增反膜。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管的制造方法，其特征在于，所述制作發(fā)光層的步驟包括：步驟C：在N型摻雜的GaN層正面利用金屬有機化合物化學氣相沉淀的方法沉積多量子阱，步驟D：在上述多量子阱上沉積保護膜，利用掩膜板，保留第一區(qū)域的多量子阱；步驟E：利用上述步驟得到第二區(qū)域和第三區(qū)域的多量子阱，這樣形成三個量子阱發(fā)光單元，所述三個量子阱發(fā)光單元分別可發(fā)出紫外光、綠光和藍光。