[發(fā)明專利]一種外延片退火方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110288045.X | 申請(qǐng)日: | 2011-09-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103021844A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 柯創(chuàng)基;張旺 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 比亞迪股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/324 | 分類號(hào): | H01L21/324 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 外延 退火 方法 | ||
1.一種外延片退火方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
S1、提供一個(gè)外延片,在外延片的p型氮化物表面布置至少一個(gè)導(dǎo)電球,所述導(dǎo)電球與外延片的p型氮化物表面緊密接觸,然后將導(dǎo)電球與退火爐內(nèi)的低壓交流電電極連接;
S2、在退火爐內(nèi)通入N2和O2的混合氣體,將退火爐內(nèi)的溫度升到800-1000℃的高溫狀態(tài);
S3、打開(kāi)退火爐傳送門(mén),將放置有外延片的載物臺(tái)快速推進(jìn)退火爐內(nèi)并關(guān)閉,讓外延片在通有交流電的短時(shí)間高溫狀態(tài)下完成退火;
S4、將退火爐的溫度降到450-650℃的低溫狀態(tài),提高O2在混合氣體中所占的比例;
S5、讓外延片在通有交流電的低溫狀態(tài)下完成退火,然后將退火爐傳送門(mén)打開(kāi),取出外延片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片退火方法,其特征在于,在步驟S1中,所述導(dǎo)電球?yàn)殂熐颉⒔鹎蚝豌y球中的一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的外延片退火方法,其特征在于,所述導(dǎo)電球?yàn)殂熐颍ㄟ^(guò)按壓將銦球布置在外延片的p型氮化物表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片退火方法,其特征在于,在步驟S1中,所述外延片的p型氮化物表面布置有四個(gè)導(dǎo)電球,該四個(gè)導(dǎo)電球分布于外延片半徑的四個(gè)平分點(diǎn)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片退火方法,其特征在于,在步驟S1中,所述外延片的p型氮化物表面布置有八個(gè)導(dǎo)電球,該八個(gè)導(dǎo)電球分布于外延片半徑的八個(gè)平分點(diǎn)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片退火方法,其特征在于,在步驟S1中,所述低壓交流電電極的電壓為5-15伏。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片退火方法,其特征在于,在步驟S2中,所述O2在混合氣體中所占的體積比為2-5%。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片退火方法,其特征在于,在步驟S3中,所述外延片在高溫狀態(tài)下退火的時(shí)間為30-60秒。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片退火方法,其特征在于,在步驟S4中,所述O2在混合氣體中所占的體積比為35-50%。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的外延片退火方法,其特征在于,在步驟S5中,所述外延片在低溫狀態(tài)下退火的時(shí)間為3-6分鐘。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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