[發(fā)明專利]微晶硅薄膜太陽能電池的真空熱退火處理背電極技術(shù)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110287896.2 | 申請日: | 2011-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN103022236A | 公開(公告)日: | 2013-04-03 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳宏昌;劉幼海;劉吉人 | 申請(專利權(quán))人: | 吉富新能源科技(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
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| 地址: | 201707 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 微晶硅 薄膜 太陽能電池 真空 退火 處理 電極 技術(shù) | ||
技術(shù)領域
本發(fā)明關(guān)於一種微晶硅薄膜太陽能電池的真空熱處理背電極技術(shù),?其目的:?系將基材型硅薄膜太陽能的背電極金屬薄膜表面平整化,以提升薄膜太陽能電池效率。?
背景技術(shù)
目前,業(yè)界關(guān)於基材型微晶硅薄膜太陽能電池的背電極,其金屬層薄膜在鍍膜后并無任何的處理,但如此缺點是微晶硅薄膜在背電極上不易形成大晶粒的結(jié)構(gòu)。微晶硅薄膜成長於基材型太陽能電池的背電極時,對於背電極膜面的平整程度相當敏感,完全平坦的背電極膜面雖易形成大晶粒的微晶硅薄膜,但由於反射率過高會導致吸收變小轉(zhuǎn)換效率較低;相對的薄膜表面過於粗糙的背電極雖然吸收較高,但微晶硅薄膜沉積時卻不易形成大晶粒的結(jié)構(gòu)。?
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明關(guān)於一種微晶硅薄膜太陽能電池的真空熱退火處理背電極技術(shù),此技術(shù)包括玻璃、真空濺鍍沉積第一透明導電層薄膜、真空濺鍍沉積第一金屬層薄膜、真空濺鍍沉積第二金屬層薄膜、真空熱退火處理、與真空濺鍍沉積第二透明導電層薄膜。先在玻璃上依序真空濺鍍沉積第一透明導電層薄膜、真空濺鍍沉積第一金屬層薄膜、真空濺鍍沉積第二金屬層薄膜、以真空熱退火處理第二金屬層薄膜表面平整化后、最后真空濺鍍沉積第二透明導電層薄膜。本發(fā)明可將薄膜太陽能電池背電極表面平整化,進而改善微晶硅吸收層結(jié)構(gòu),提升基材型硅薄膜太陽能電池效率。?
具體實施方示:茲將本發(fā)明配合附圖,詳細說明如下:請參閱圖1,為本發(fā)明之動作流程方塊示意圖。由圖中可知,先在玻璃上依序以真空濺鍍沉積第一透明導電層薄膜、真空濺鍍沉積第一金屬層薄膜、真空濺鍍沉積第二金屬層薄膜、以真空熱處理第二金屬層薄膜表面平整化后、最后真空濺鍍沉積第二透明導電層薄膜。?
請參閱圖2,圖2是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)承載腔之示意圖。圖中真空濺鍍系統(tǒng)共有承載腔81、第一透明導電層薄膜濺鍍腔92、第一金屬層薄膜濺鍍腔93、第二金屬層薄膜濺鍍腔94、真空加熱腔82、第二透明導電層薄膜濺鍍腔95。?
請參閱圖3,圖3是薄膜沉積前之玻璃示意圖。圖中為薄膜沉積前之玻璃1。?
?請參閱圖4,圖4是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中第一透明導電層薄膜濺鍍腔之示意圖。圖中為玻璃1位於第一透明導電層薄膜濺鍍腔92。?
?請參閱圖5,圖5是玻璃上沉積第一透明導電層薄膜之示意圖。即在玻璃1上沉積上第一透明導電層薄膜2?請參閱圖6,圖6是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中第一金屬層薄膜濺鍍腔之示意圖。圖中為玻璃1位於第一金屬層薄膜濺鍍腔93。?
請參閱圖7,圖7是在第一透明導電層薄膜上沉積第一金屬層薄膜之示意圖。即在第一透明導電層薄膜2上接著沉積第一金屬層薄膜3。?
請參閱圖8,圖8是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中第二金屬層薄膜濺鍍腔之示意圖。圖中為玻璃1位於第二金屬層薄膜濺鍍腔94。?
請參閱圖9,圖9是在第一金屬層薄膜上沉積第二金屬層薄膜之示意圖。即在第一金屬層薄膜3上沉積第二金屬層薄膜4。?
請參閱圖10,圖10是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中真空加熱腔之示意圖。圖中為玻璃1位於真空加熱腔82。?
請參閱圖11,圖11是真空熱退火第二金屬層后薄膜表面平整化之示意圖。?
請參閱圖12,圖12是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中第二透明導電層薄膜濺鍍腔之示意圖。圖中為玻璃1位於第二透明導電層薄膜濺鍍腔95。?
請參閱圖13,圖13是在表面平整化的第二金屬層上沉積第二透明導電層之示意圖。即在平整化后的第二金屬層薄膜4上沉積第二透明導電層5。?
附圖說明
下面結(jié)合附圖與實施例對本發(fā)明進一步說明。?
圖1是本發(fā)明之動作流程方塊示意圖。?
圖2是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)承載腔之示意圖。?
圖3是薄膜沉積前之玻璃示意圖。?
圖4是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中第一透明導電層薄膜濺鍍腔之示意圖。?
圖5是玻璃上沉積第一透明導電層薄膜之示意圖。?
圖6是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中第一金屬層薄膜濺鍍腔之示意圖。?
圖7是在第一透明導電層薄膜上沉積第一金屬層薄膜之示意圖。?
圖8是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中第二金屬層薄膜濺鍍腔之示意圖。?
圖9是在第一金屬層薄膜上沉積第二金屬層薄膜之示意圖。?
圖10是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中真空加熱腔之示意圖。?
圖11是真空熱退火第二金屬層后薄膜表面平整化之示意圖。?
圖12是玻璃在真空濺鍍系統(tǒng)中第二透明導電層薄膜濺鍍腔之示意圖。?
圖13是在表面平整化的第二金屬層上沉積第二透明導電層之示意圖。?
?主要元件符號說明:1?…玻璃2?…第一透明導電層薄膜3?…第一金屬層薄膜4?…第二金屬層薄膜5?…第二透明導電層薄膜81?…承載腔92?…第一透明導電層薄膜濺鍍腔93?…第一金屬層薄膜濺鍍腔94?…第二金屬層薄膜濺鍍腔82?…真空加熱腔95?…第二透明導電層薄膜濺鍍腔。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





