[發明專利]數據寫入方法、存儲器控制器與存儲器儲存裝置

有效

• 申請號: 201110287862.3
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN103019952A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 葉志剛
• 申請（專利權）人: 群聯電子股份有限公司
• 主分類號: G06F12/06
• 分類號: G06F12/06
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 臧建明

技術領域

本發明涉及一種數據寫入方法，尤其涉及一種用于可復寫式非易失性存儲器模組的數據寫入方法及使用此方法的存儲器控制器與存儲器儲存裝置。

背景技術

數碼相機、手機與MP3在這幾年來的成長十分迅速，使得消費者對儲存媒體的需求也急速增加。由于可復寫式非易失性存儲器(rewritable?non-volatile?memory)具有數據非易失性、省電、體積小、無機械結構、讀寫速度快等特性，最適于可攜式電子產品，例如筆記本式計算機。固態硬盤就是一種以閃速存儲器作為儲存媒體的儲存裝置。因此，近年閃速存儲器產業成為電子產業中相當熱門的一環。

隨著半導體制程技術的發展，多階存儲單元(Multi?Level?Cell，MLC)反及(NAND)閃速存儲器模組已廣泛的被使用。由于MLC?NAND閃速存儲器物理特性，在編程部分的實體頁面(physical?page)時電荷會較不穩定并且鄰近的實體頁面可能會受到影響。例如，以4階NAND閃速存儲器模組為例，每一個實體區塊具有多個實體頁面并且此些實體頁面可被區分為多個下實體頁面與分別地對應此些下實體頁面的多個上實體頁面，其中一個上實體頁面會對應一個下實體頁面。也就是說，位于相同的字元線上的存儲單元會構成一個實體頁面對，并且此實體頁面對包括一個下實體頁面與一個上實體頁面。數據寫入至下實體頁面的速度大于數據寫入至上實體頁面的速度，因此，下實體頁面亦稱為快速實體頁面且上實體頁面亦稱為慢速實體頁面。特別是，在編程上實體頁面期間發生編程錯誤時，儲存于對應此上實體頁面的下實體頁面中的數據亦可能會遺失。

因此，相對于單階存儲單元(Single?Level?Cell，SLC)NAND閃速存儲器模組來說，MLC?NAND閃速存儲器模組雖容量較大，但儲存可靠度較差。因此，有需要發展能夠增加MLC?NAND閃速存儲器模組的可靠度的數據寫入方法。

發明內容

本發明提供一種數據寫入方法與存儲器控制器，其能夠有效地提升寫入數據至可復寫式非易失性存儲器模組的可靠度。

本發明提供一種存儲器儲存裝置，其能夠可靠地儲存數據。

本發明的一范例實施例提出一種數據寫入方法，用于一可復寫式非易失性存儲器模組，其中可復寫式非易失性存儲器模組具有多個實體區塊，每一實體區塊具有依序排列的多個實體頁面，此些實體頁面被分組為依序排列的多個實體頁面對，每一實體頁面對至少包括下實體頁面與上實體頁面，寫入數據至下實體頁面的速度大于寫入數據至上實體頁面的速度。本數據寫入方法包括接收寫入指令與對應此寫入指令的第一數據并且將第一數據寫入至此些實體頁面之中的第一實體頁面，其中第一實體頁面屬于此些實體頁面對之中的第一實體頁面對。本數據寫入方法也包括在將第一數據寫入至第一實體頁面之前判斷第一實體頁面是否為第一實體頁面對的上實體頁面。本數據寫入方法還包括，當第一實體頁面為第一實體頁面對的上實體頁面時，在將第一數據寫入至第一實體頁面之前判斷在備份區中是否存有第二數據，其中第二數據已被寫入至第一實體頁面對的下實體頁面中。本數據寫入方法還包括，當備份區未存有第二數據時，在將第一數據寫入至第一實體頁面之前從第一實體頁面對的下實體頁面中讀取第二數據并且將所讀取的第二數據暫存至備份區中。

在本發明的一實施例中，上述的數據寫入方法還包括，當第一實體頁面為第一實體頁面對的上實體頁面時，在將第一數據寫入至第一實體頁面之前判斷在備份區中是否存有第三數據，其中第三數據已被寫入至此些實體頁面之中鄰近第一實體頁面對的下實體頁面的其他下實體頁面中。此外，本數據寫方法還包括，當在備份區中未存有第三數據時，在將第一數據寫入至第一實體頁面之前從此其他下實體頁面中讀取第三數據并且將所讀取的第三數據暫存至備份區中。

在本發明的一實施例中，上述的數據寫入方法，還包括，當第一實體頁面為第一實體頁面對的上實體頁面時，在將第一數據寫入至第一實體頁面之前判斷在備份區中是否存有屬于鄰近第一實體頁面對的至少一其他實體頁面對的數據，其中在可復寫式非易失性存儲器模組中此其他實體頁面對是排列在第一實體頁面對的前面；以及當在備份區中未存有此其他實體頁面對的數據時，在將第一數據寫入至第一實體頁面之前從此其他實體頁面對中將此其他實體頁面對的數據暫存至備份區中。