[發(fā)明專利]利用二氧化硅制作背反射層之高效率薄膜太陽能電池

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110287642.0
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN103022172A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設計）人: 陳政宏;劉幼海;劉吉人
• 申請（專利權）人: 吉富新能源科技(上海)有限公司
• 主分類號: H01L31/0232
• 分類號: H01L31/0232;H01L31/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明關于一種利用二氧化硅制作背反射層之高效率薄膜太陽能電池，其目的在于大幅增加薄膜太陽能電池的短路電流，進而達到高效率之薄膜太陽能電池。?

背景技術

由于能源價格高漲，全球各地皆再尋求替代的綠色能源，薄膜太陽能電池即是一種將太陽光轉換成電能的有效率的綠色能源；目前，業(yè)界大多采用氧化鋅當作硅薄膜太陽能電池的背反射層，但此方式仍有光捕捉效率低的缺點存在，其中造成太陽能電池未能有效充分利用太陽光，使太陽能電池效率降低且價格過高，無法有效普及化應用于生活中的一大因素。?

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要目的系一種利用二氧化硅制作背反射層之高效率薄膜太陽能電池，此技術方法于使用化學氣相沉積法，并利用甲烷、二氧化碳、氫氣制作二氧化硅薄膜，以制造高光捕捉效率的背反射層，其目的在于能夠使太陽能電池吸收大部分的入射光，避免過多入射光反射或散射，造成效率的損失，至少提升80%，并產(chǎn)生高效率薄膜太陽能電池。?

一種利用二氧化硅制作背反射層之高效率薄膜太陽能電池，其特征在于，包含了：?

一透明玻璃基板；

一透明導電層，位于該透明玻璃基板上；

一P層薄膜半導體層，位于該透明導電層上；

一薄膜本質半導體層，位于該P層薄膜半導體層上；

一N層薄膜半導體層，位于該薄膜本質半導體層上；

一二氧化硅背反射層，位于該N層薄膜半導體層上；

一導電層，位于該二氧化硅背反射層上。

其中，該透明玻璃基板材質選用超高穿透度之玻璃基板，以增加入射光的比例；?

其中，該P層薄膜半導體層，使用PH3形成帶電洞之半導體層；

其中，該薄膜本質半導體層，使用氫及甲烷制作本質半導體層，使其能夠吸收更多太陽入射光，并大幅提升硅薄膜太陽能電池的效率；

其中，該N層薄膜半導體層，使用TMB及B2H6形成帶電子之半導體層；

其中，該二氧化硅背反射層，使用化學氣相沉積法，并利用甲烷、二氧化碳、氫氣制作二氧化硅薄膜，以制造高光捕捉效率的背反射層，其目的在于能夠使太陽能電池吸收大部分的入射光。

與傳統(tǒng)氧化鋅薄膜技術作比較，本發(fā)明具有的有效效益為：?

本發(fā)明所使用的利用二氧化硅制作背反射層之高效率薄膜太陽能電池，包含了透明玻璃基板、透明導電層、P層薄膜半導體層、薄膜本質半導體層、N層薄膜半導體層、二氧化硅背反射層及導電層。利用新型二氧化硅制作的背反射層，有效提升太陽能電池對入射太陽光的捕捉效率，進而提高薄膜太陽能電池對太陽光的吸收效率，并獲得高效率薄膜太陽能電池，及降低生產(chǎn)成本達到符合市場需求的目的。

附圖說明

下面結合附圖和實施例對本發(fā)明進一步說明：圖1是本發(fā)明之利用二氧化硅制作背反射層之高效率薄膜太陽能電池的新型結構圖。?

主要組件符號說明：1?…透明玻璃基板2?…透明導電層3?…P層薄膜半導體層4?…薄膜本質半導體層5?…N層薄膜半導體層6?…二氧化硅背反射層7?…導電層。?

具體實施方式

茲將本發(fā)明配合附圖,詳細說明如下：?

參照圖1，是本發(fā)明利用二氧化硅制作背反射層之高效率薄膜太陽能電池的新型結構圖，其中包含了透明玻璃基板1、透明導電層2、P層薄膜半導體層3、薄膜本質半導體層4、N層薄膜半導體層5、二氧化硅背反射層6及導電層7。

為了能夠獲得高短路電流的薄膜太陽能電池，其堆棧依序如下：透明導電層2、P層薄膜半導體層3、薄膜本質半導體層4、N層薄膜半導體層5及二氧化硅背反射層6。當太陽光照射在PN接面時，會有部分原子得到能量，進而形成自由電子，而失去電子的原子將會形成電洞，通過P型及N型半導體分別吸引電子與電洞，把正電及負電分離，因此在PN接面的兩端形成一電位差，接著在導電層上接上電路，使電子可以通過并在PN接面的另一端再次結合電子與電洞對，即可利用導線將電能輸出。?

因此，本發(fā)明所使用的新型二氧化硅背反射層，其目的在提高太陽能電池對入射太陽光的捕捉效率，進而提高薄膜太陽能電池對太陽光的吸收效率，并獲得高效率薄膜太陽能電池，及降低生產(chǎn)成本達到符合市場需求的目的。?

以上說明,對本發(fā)明而言只是說明性的，非限制性的，本領域普通技術人員理解，在不脫離權利要求所限定的精神和范圍的情況下，可作出許多修正、變化或等效，但都將落入本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。?