[發明專利]一種合成石墨烯薄膜的方法無效
| 申請號： | 201110287621.9 | 申請日： | 2011-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN103011136A | 公開（公告）日： | 2013-04-03 |
| 發明（設計）人： | 徐明生;陳紅征;施敏敏;吳剛;汪茫 | 申請（專利權）人： | 浙江大學 |
| 主分類號： | C01B31/04 | 分類號： | C01B31/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通專利事務所有限公司 33100 | 代理人： | 劉曉春 |
| 地址： | 310027*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 合成 石墨 薄膜 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于包括如下步驟：
1)采用能量粒子技術方法從含有碳元素的固態碳源、液態碳源、氣態碳源材料或前述碳源中任意兩種或兩種以上混合碳源材料中產生活性碳原子或含碳活性基團；
2)將產生的活性碳原子或含碳活性基團沉積在不具有催化活性的襯底或具有催化活性的襯底上形成石墨烯薄膜。
2.根據權利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的能量粒子技術方法包括射頻處理、激光處理、電子束處理、中子束處理、離子束處理、等離子體處理、微波處理、射線處理、紫外線處理或紅外線處理。
3.根據權利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的不具有催化活性的襯底包括半導體或絕緣體材料。
4.根據權利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的具有催化活性的襯底包括Ni、Pt、Co、Fe、Al、Cr、Mg、Mn、Rh、Ta、Ti、W、U、Zr、V、Pd、Ru、Ir、Re、TiC、HfC、WC、LaB6或多晶銅的一種或其任意組合。
5.根據權利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于所述的活性碳原子是指能夠形成石墨烯的碳原子；所述的含碳活性基團是指帶有正碳離子或負碳離子的基團。
6.根據權利要求1所述的合成石墨烯薄膜的方法，其特征在于在所述襯底上形成的石墨烯薄膜的層數為1層至100層，優選為1層至10層，最優為1層至3層。
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