[發明專利]一種大磁電阻效應Fe-Ti-O非晶態薄膜的制備方法

無效

• 申請號: 201110287569.7
• 申請日: 2011-09-26
• 公開（公告）號: CN102345104A
• 公開（公告）日: 2012-02-08
• 發明（設計）人: 王曉姹;陳希明;楊保和
• 申請（專利權）人: 天津理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/06
• 代理公司: 天津佳盟知識產權代理有限公司 12002
• 代理人: 侯力

1.一種大磁電阻效應Fe-Ti-O非晶態薄膜的制備方法，其特征在于：采用超高真空三靶共沉積磁控濺射鍍膜機制備，本步驟如下：

1)?在鍍膜機的靶頭上分別安裝一個Ti靶和Fe靶；

2)將玻璃基底表面雜質清除后，安裝基底架上，基片在上方，靶在下方，基片與靶的距離為13?cm；

3)開啟磁控濺射設備，先后啟動一級機械泵和二級分子泵抽真空，直至濺射室的背底真空度大于8.5×10^–6?Pa；

4)向真空室通入O₂和Ar的混合氣體，使得真空室中的真空度為1?Pa；

5)開啟濺射直流電源，分別在Ti靶Fe靶上施加電流和電壓，預濺射20分鐘，等濺射電流和電壓穩定；

6)打開基片的擋板，同時以每分鐘2轉的速率轉動基片架，在基片上生長鐵摻雜二氧化鈦非晶態薄膜；

7)生長薄膜15分鐘后，關閉基片的擋板，基片架停止轉動，然后關閉濺射電源，停止通入濺射氣體Ar和O₂，繼續抽真空半小時后關閉真空系統，然后向真空室充入純度為99.999%的氮氣，直到真空室的氣壓與外面大氣壓相同時，打開真空室取出制得的目標產品。

2.根據權利要求1所述大磁電阻效應Fe-Ti-O非晶態薄膜的制備方法，其特征在于：所述Ti靶和Fe靶的純度均為99.99%，Ti靶的厚度為4?mm，Fe靶的厚度為2.5?mm，Ti靶和Fe靶的直徑均為60?mm。

3.根據權利要求1所述大磁電阻效應Fe-Ti-O非晶態薄膜的制備方法，其特征在于：所述O₂和Ar混合氣體中，O₂和Ar的純度均為99.999%，其中O₂的流量為3sccm，Ar的流量為100?sccm。

4.根據權利要求1所述大磁電阻效應Fe-Ti-O非晶態薄膜的制備方法，其特征在于：所述濺射直流電源在Ti靶上施加0.4?A的電流和340?V的電壓，在Fe靶上施加0.3?A的電流和320?V的電壓。