[發(fā)明專利]化學(xué)氣相沉積裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110287512.7
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN103014668A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 奚明;馬悅;薩爾瓦多;黃占超
• 申請（專利權(quán)）人: 理想能源設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括：反應(yīng)腔、冷卻裝置、位于所述反應(yīng)腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設(shè)置的基座，所述基座具有加熱單元，所述噴淋組件包括第一進(jìn)氣裝置以及第二進(jìn)氣裝置，用于分別將第一氣體以及第二氣體傳輸至基座與噴淋組件之間的反應(yīng)區(qū)；其特征在于：所述第一進(jìn)氣裝置具有與所述冷卻裝置相接觸的第一上表面和與所述第一上表面相對的第一下表面，所述第一下表面面對所述基座，第二進(jìn)氣裝置具有與冷卻裝置相接觸的第二上表面和與所述第二上表面相對的第二下表面，所述第二下表面面對所述基座，所述第一上表面與所述第一下表面的比率大于所述第二上表面與所述第二下表面的比率，所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進(jìn)氣裝置與所述第二進(jìn)氣裝置具有不同的溫度。

2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述冷卻裝置與所述第一進(jìn)氣裝置層疊設(shè)置，所述冷卻裝置與所述第二進(jìn)氣裝置層疊設(shè)置，所述第一進(jìn)氣裝置與所述第二進(jìn)氣裝置并排設(shè)置。

3.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一上表面與所述第一下表面的比率大于或等于1且小于或等于5。

4.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二上表面與所述第二下表面的比率大于或等于十分之一且小于二分之一。

5.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進(jìn)氣裝置的熱傳導(dǎo)系數(shù)大于所述第二進(jìn)氣裝置的熱傳導(dǎo)系數(shù)。

6.如權(quán)利要求5所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進(jìn)氣裝置的材料包括石墨或碳化硅，所述第二進(jìn)氣裝置的材料成分包括不銹鋼、鋁、銅、金、銀中的一種或多種。

7.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進(jìn)氣裝置的熱輻射系數(shù)小于或等于所述第二進(jìn)氣裝置的熱輻射系數(shù)。

8.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一氣體包括反應(yīng)前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。

9.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二氣體包括反應(yīng)前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。

10.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進(jìn)氣裝置用于傳輸III族金屬有機(jī)源，所述第二進(jìn)氣裝置用于傳輸V族氫化物源。

11.如權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述III族金屬有機(jī)源包括Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃氣體中的一種或多種。

12.如權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述V族氫化物源包括NH₃、PH₃、AsH₃氣體中的一種或多種。

13.如權(quán)利要求10所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進(jìn)氣裝置的溫度小于所述第二進(jìn)氣裝置的溫度。

14.如權(quán)利要求13所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進(jìn)氣裝置與所述第二進(jìn)氣裝置之間的溫度差大于或等于100℃且小于或等于600℃。

15.如權(quán)利要求14所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進(jìn)氣裝置的溫度大于或等于35℃且小于或等于600℃，所述第二進(jìn)氣裝置的溫度大于或等于135℃且小于或等于800℃。

16.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，還包括：旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元，所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動單元驅(qū)動所述基座或噴淋組件在所述化學(xué)氣相沉積裝置的沉積過程中進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。

17.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二進(jìn)氣裝置與所述第一進(jìn)氣裝置之間具有間隔，且第二進(jìn)氣裝置與所述第一進(jìn)氣裝置之間不進(jìn)行熱傳導(dǎo)。