[發明專利]化學氣相沉積裝置

有效

• 申請號: 201110287503.8
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN103014666A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 奚明;薩爾瓦多;林芳;黃占超
• 申請（專利權）人: 理想能源設備（上海）有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種化學氣相沉積裝置，包括：反應腔、冷卻裝置、位于所述反應腔頂部的噴淋組件以及與所述噴淋組件相對設置的基座，所述基座具有加熱單元，所述噴淋組件包括第一進氣裝置以及第二進氣裝置，用于分別將第一氣體以及第二氣體傳輸至基座與噴淋組件之間的反應區；其特征在于，所述冷卻裝置、所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置依次層疊設置，所述第二進氣裝置位于面向所述基座的一側且相較于所述冷卻裝置、所述第一進氣裝置更近鄰所述基座，所述第一進氣裝置的熱傳導系數大于所述第二進氣裝置的熱傳導系數，所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置具有不同的溫度。

2.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置的材料為石墨或碳化硅，所述第二進氣裝置的材料包括鋼、鋁、銅、金、銀中的一種或多種。

3.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一氣體包括反應前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。

4.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二氣體包括反應前體、載氣、吹掃氣體中的一種或多種。

5.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置用于傳輸III族金屬有機源，所述第二進氣裝置用于傳輸V族氫化物源。

6.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述III族金屬有機源包括Ga(CH₃)₃、In(CH₃)₃、Al(CH₃)₃、Ga(C₂H₅)₃、Zn(C₂H₅)₃氣體中的一種或多種。

7.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述V族氫化物源包括NH₃、PH₃、AsH₃氣體中的一種或多種。

8.如權利要求5所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述加熱單元在加熱過程中，所述第一進氣裝置的溫度小于所述第二進氣裝置的溫度。

9.如權利要求8所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置與所述第二進氣裝置之間的溫度差大于或等于100℃且小于或等于600℃。

10.如權利要求9所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置的溫度大于或等于35℃且小于或等于600℃，所述第二進氣裝置的溫度大于或等于135℃且小于或等于800℃。

11.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，還包括：旋轉驅動單元，所述旋轉驅動單元驅動所述基座或噴淋組件在所述化學氣相沉積裝置的沉積過程中進行旋轉。

12.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二進氣裝置包括具有若干第二氣孔的若干氣體擴散管，所述氣體擴散管至少部分鑲嵌于所述第一進氣裝置之中，并向所述反應區露出所述第二氣孔以使得第二氣體從所述第二氣孔排出。

13.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第二進氣裝置與所述第一進氣裝置之間具有間隔，且所述第二進氣裝置與所述第一進氣裝置之間不進行熱傳導。

14.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述冷卻裝置具有冷卻通道，用以通入冷卻氣體或者冷卻液體。

15.如權利要求1所述的化學氣相沉積裝置，其特征在于，所述第一進氣裝置為擴散盤，所述擴散盤具有上表面以及與所述上表面相對的下表面，所述上表面緊貼所述冷卻裝置，所述上表面設置有第一進氣口以及氣體擴散槽，所述下表面設置有若干第一氣孔；所述第一氣體依次經由所述第一進氣口、氣體擴散槽和所述第一氣孔進入所述反應區。