[發明專利]一種摻氮氧化鋅薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 201110287076.3 | 申請日： | 2011-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN102304700A | 公開（公告）日： | 2012-01-04 |
| 發明（設計）人： | 劉鍵;饒志鵬;萬軍;夏洋;李超波;陳波;黃成強;石莎莉;李勇滔 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | C23C16/40 | 分類號： | C23C16/40;H01L21/365;H01L31/0296;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市德權律師事務所 11302 | 代理人： | 劉麗君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氧化鋅 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種摻氮氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟（1），將硅襯底放置于原子層沉積設備反應腔中；
步驟（2），向所述原子層沉積設備反應腔中通入含鋅源氣體，所述含鋅源氣體中的鋅原子吸附在所述硅襯底上；
步驟（3），以氮氣為載氣向原子層沉積設備反應腔中輸送氫氣，同時進行等離子體放電，所述氮氣電離后部分氮原子與部分所述鋅原子形成共價鍵，氮原子未成鍵的電子和電離的氫原子成鍵；
步驟（4），向原子層沉積設備反應腔中通入含氧源，未與所述氮原子反應的鋅原子與所述含氧源中的氧原子形成鋅氧鍵；
步驟（5），重復步驟（2）、（3）、（4）即可逐層生長含氮原子的氧化鋅薄膜。
2.如權利要求1所述的摻氮氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）之前還包括：所述硅襯底的表面經過標準液和氫氟酸處理，在所述硅襯底的表面形成硅氫鍵。
3.如權利要求1所述的摻氮氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中的含鋅源氣體為氯化鋅。
4.如權利要求1所述的摻氮氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中氮氣的流量為1sccm-1000sccm，進氣時間為0.1s-1s，反應時間為1s-10s，清洗時間為5s-60s，基盤溫度為100℃-500℃。
5.如權利要求4所述的摻氮氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中氮氣的流量為15sccm，進氣時間為1s，反應時間為5s，清洗時間為20s，基盤溫度為300℃。
6.如權利要求1所述的摻氮氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中氫氣的流量為1sccm-6sccm，等離子體放電功率為1W-100W，放電時間為1s-10s。
7.如權利要求6所述的摻氮氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（3）中等離子體放電功率為40W，放電時間為3s。
8.如權利要求1所述的摻氮氧化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述步驟（4）中的含氧源為水。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院微電子研究所，未經中國科學院微電子研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110287076.3/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學轉化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆，例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上，例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
