[發(fā)明專(zhuān)利]一種單晶立方型氮化碳薄膜的制備方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110286896.0
• 申請(qǐng)日: 2011-09-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102321919A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-01-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 夏洋;饒志鵬;萬(wàn)軍;劉鍵;李超波;陳波;黃成強(qiáng);石莎莉;李勇滔
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所
• 主分類(lèi)號(hào): C30B29/38
• 分類(lèi)號(hào): C30B29/38;C30B25/02
• 代理公司: 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種單晶立方型氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

將硅襯底放置于原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔中；

向所述原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔中通入碳源氣體，所述碳源氣體作為第一反應(yīng)前驅(qū)體在硅襯底表面進(jìn)行碳化學(xué)吸附，所述碳源氣體中的碳原子吸附在所述硅襯底上；

所述吸附在所述硅襯底上的碳原子與通入含氮的第二反應(yīng)前驅(qū)體發(fā)生鹵代反應(yīng)，并產(chǎn)生相應(yīng)的產(chǎn)物，直到硅襯底表面的碳原子完全消耗，在襯底表面形成單晶立方型氮化碳薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述單晶立方型氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，所述將硅襯底放置于原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔中的步驟之前還包括：所述硅襯底的表面經(jīng)過(guò)標(biāo)準(zhǔn)液和氫氟酸處理，在所述硅襯底的表面形成硅氫鍵。

3.如權(quán)利要求1所述單晶立方型氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，所述碳源氣體為四氯化碳。

4.如權(quán)利要求2所述單晶立方型氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，所述第二反應(yīng)前驅(qū)體為氨氣；所述氨氣中的氫原子與所述四氯化碳中的氯原子發(fā)生鹵代反應(yīng)，使得所述四氯化碳中除碳以外的其他官能團(tuán)被氮原子取代。

5.如權(quán)利要求1所述單晶立方型氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，所述在向原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔通入碳源氣體、第二反應(yīng)前驅(qū)體步驟之前還包括：向原子層沉積設(shè)備反應(yīng)腔通入惰性氣體。

6.如權(quán)利要求5所述單晶立方型氮化碳薄膜的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氬氣或氦氣。