[發明專利]晶片加工用帶

無效

• 申請號: 201110286708.4
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN103013365A
• 公開（公告）日: 2013-04-03
• 發明（設計）人: 佐野透;三原尚明;盛島泰正
• 申請（專利權）人: 古河電氣工業株式會社
• 主分類號: C09J7/02
• 分類號: C09J7/02;H01L21/68;H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 丁香蘭;褚瑤楊

【技術領域】

本發明涉及通過擴張(エキスパンド)將粘接劑層沿著芯片截斷(分斷する)時所用的能夠擴張的晶片加工用帶。

【背景技術】

在IC等半導體裝置的制造工序中，實施下述工序：對晶片背面進行磨削以使得電路圖案形成后的晶片薄膜化的背面研磨工序；在半導體晶片的背面貼附具有粘附性和伸縮性的晶片加工用帶后將晶片按芯片單元截斷的切割工序；使晶片加工用帶擴張的工序；對拾取經截斷的芯片的工序；以及芯片粘貼(裝配，mount)工序，其中，進一步地將拾取到的芯片粘接至引線框架或封裝基板等，或者在疊層封裝中將半導體芯片彼此層積、粘接。

在上述背面研磨工序中，使用表面保護帶以保護晶片的電路圖案形成面(晶片表面)免受污染。在晶片的背面磨削結束后從晶片表面剝離該表面保護帶時，在將以下所述的晶片加工用帶(切割-芯片粘貼帶)貼合在晶片背面后，將切割-芯片粘貼帶側固定于吸附臺，對表面保護帶實施降低對晶片的粘接力的處理后，剝離表面保護帶。對于剝離了表面保護帶的晶片，其后將其以背面貼合有切割-芯片粘貼帶的狀態自吸附臺取下，供給至其后的切割工序。另外，在表面保護帶由紫外線等能量射線固化性成分構成的情況下，上述的降低粘接力的處理是指紫外線照射處理，在表面保護帶由熱固性成分構成的情況下，上述的降低粘接力的處理是指熱照射(加熱)處理。

在上述背面研磨工序之后的切割工序～裝配工序中，使用在基材膜上依序層積有粘附劑層和粘接劑層的切割-芯片粘貼帶。通常在使用切割-芯片粘貼帶時，首先將切割-芯片粘貼帶的粘接劑層貼合在半導體晶片的背面對半導體晶片進行固定，使用劃片刀按芯片單元對半導體晶片和粘接劑層進行切割。其后，通過使帶沿著半導體晶片的徑向擴張來實施擴大芯片彼此的間隔的擴張工序。實施該擴張工序是為了在其后的拾取工序中提高利用CCD相機等時對芯片的識別性，并防止拾取芯片時相鄰的芯片彼此接觸所產生的芯片破損。其后，通過拾取工序，芯片從粘附劑層剝離，與粘接劑層一同被拾取，并通過裝配工序直接粘接于引線框架或封裝基板等。如此，通過使用切割-芯片粘貼帶，可以將帶有粘接劑層的芯片直接粘接在引線框架或封裝基板等，因而能夠省略粘接劑的涂布工序或另外在各芯片上粘接芯片粘貼膜的工序。

但是，在上述的切割工序中，由于如上所述使用劃片刀對半導體晶片和粘接劑層一同進行切割，因而不僅會產生晶片的切削屑，還會產生粘接劑層的切削屑。對于粘接劑層的切削屑，由于其本身具有粘接功能，因而在切削屑填塞到晶片的切割槽的情況下，芯片彼此緊貼在一起，產生拾取不良等，半導體裝置的制造成品率會降低。

為了解決上述的問題，有方案提出了如下的方法：在切割工序中，僅對半導體晶片用刀片進行切割，在擴張工序中，使切割-芯片粘貼帶擴張，由此，對應各個芯片，將粘接劑層截斷(例如專利文獻1的[0055]～[0056])。通過這樣的利用了擴張時的張力來截斷粘接劑層的方法，不產生粘接劑的切削屑，在拾取工序中不會造成不良影響。

另外，近年來，作為半導體晶片的切斷方法，提出了使用激光加工裝置在不接觸的情況下切斷晶片的所謂隱形切割(Stealth?Dicing)法。

例如，在專利文獻2中，作為隱形切割法，公開了一種半導體基板的切斷方法，該方法具備：片材夾著芯片粘貼樹脂層(粘接劑層)貼附于半導體基板，調整焦點光，向該半導體基板的內部照射激光，由此在半導體基板的內部形成由多光子吸收所致的改性區域，在該改性區域形成預定切斷部的工序；以及通過使片材擴展(擴張)從而沿預定切斷部將半導體基板以及芯片粘貼樹脂層切斷的工序。

另外，作為使用了激光加工裝置的半導體晶片的切斷方法的其他方法，例如在專利文獻3中提出了一種半導體晶片的分割方法，該方法包括下述工序：在半導體晶片的背面安裝芯片粘貼用的粘接膜(粘接劑層)的工序；在背面安裝有該粘接膜的半導體晶片的粘接膜側貼上可拉伸的保護膠帶的工序；從貼有保護膠帶的半導體晶片的表面沿路線(street)照射激光光線，分割成一個個半導體芯片的工序；使保護膠帶擴展(擴張)，對粘接膜施加拉伸力，使粘接膜按每個半導體芯片斷裂的工序；以及將貼有已斷裂的粘接膜的半導體芯片從保護膠帶脫離的工序。

根據專利文獻2和專利文獻3所述的這些半導體晶片的切斷方法，通過激光的照射和帶的擴張，在不接觸的情況下將半導體晶片切斷，因而對半導體晶片的物理負荷小，可以進行半導體晶片的切斷而會不產生在進行目前主流的刀片切割時那樣的晶片的切削屑(chipping，屑)。并且，由于是通過擴張來截斷粘接劑層的，因而也不會產生粘接劑層的切削屑。因此其作為可代替刀片切割的優異技術而受到矚目。