[發(fā)明專利]傳感器封裝及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110286502.1
• 申請日: 2011-08-16
• 公開（公告）號: CN102707119A
• 公開（公告）日: 2012-10-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: K·埃利安;G·魯爾;H·托伊斯
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: G01R15/20
• 分類號: G01R15/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 馬永利;盧江

1.一種傳感器封裝包括：

導電線；

傳感器，其中該傳感器接近所述導電線布置；

密封件，其電隔離且至少部分密封所述導電線和傳感器；以及

軟磁體，其被布置在所述密封件中、所述密封件上和/或所述密封件周圍，其中該軟磁體包括絕緣材料和具有軟磁特性的材料的合成物。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的傳感器封裝，其中該軟磁體包括嵌入聚合物中的軟磁顆粒。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的傳感器封裝，其中該聚合物是熱固性或熱塑性材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1的傳感器封裝，其中該傳感器是磁性傳感器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4的傳感器封裝，其中該磁性傳感器是霍爾傳感器、AMR傳感器或GMR傳感器。

6.根據(jù)權(quán)利要求1的傳感器封裝，其中該導電線包括U形導電線、O形導電線、近似O形導電線、近似橢圓形導電線或直的導電線。

7.根據(jù)權(quán)利要求1的傳感器封裝，其中該軟磁體被布置在傳感器的活性區(qū)域上。

8.一種制造傳感器封裝的方法，該方法包括：

通過至少部分密封導電線和傳感器來電隔離所述導電線和傳感器；以及

在第一密封件中、第一密封件上和/或第一密封件周圍形成軟磁體，其中所述軟磁體包括絕緣材料和具有軟磁特性的材料的合成物。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中通過在第一模具中注入聚合物來形成所述密封件，以及其中通過將軟磁復(fù)合材料注入第二模具中來形成所述軟磁體。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，其中所述絕緣材料包括聚合物。

11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，其中所述具有軟磁特性的材料包括鎳(Ni)、鐵(Fe)、鐵-鎳(FeNi)、鐵-硅(FeSi)、鐵-硅-硼(FeSiB)或鐵-鈷(FeCo)顆粒或其它軟磁填充物。

12.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中形成所述軟磁體包括在傳感器的活性區(qū)域上形成軟磁體。

13.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中形成所述軟磁體包括在所述密封件的上表面和下表面上形成軟磁體。

14.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中形成所述軟磁體包括形成嵌入在所述密封件中的軟磁體。

15.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中形成所述軟磁體包括形成矩形形狀軟磁體或三角形形狀軟磁體。

16.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述導電線是U形導電線、O形導電線、近似O形導電線、近似橢圓形導電線或直的導電線。

17.根據(jù)權(quán)利要求8的方法，其中所述傳感器是磁性傳感器。

18.一種用于測量電流的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括：

負載；

包括導電線和傳感器的電流傳感器封裝，其中所述導電線電連接到所述負載；

電連接到所述傳感器和負載的控制器；

其中所述電流傳感器封裝測量電流，并且其中所述電流傳感器封裝包括軟磁體，所述軟磁體包括絕緣材料和具有軟磁特性的材料的合成物。

19.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述具有軟磁特性的材料包括鎳(Ni)、鐵(Fe)、鐵-鎳(FeNi)、鐵-硅(FeSi)、鐵-硅-硼(FeSiB)、鐵-鈷(FeCo)顆粒或其組合。

20.根據(jù)權(quán)利要求18的系統(tǒng)，其中所述負載包括用于建筑物的電源、電力發(fā)電機或者可充電或不可充電的電池。