[發(fā)明專(zhuān)利]在納米孔表面和孔內(nèi)制備納米間隙電極的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110285898.8
• 申請(qǐng)日: 2011-09-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102445480A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-05-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉曉峰;劉麗萍;吳宏文;孔婧琳;陸祖宏;劉全俊;易紅
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 東南大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): G01N27/30
• 分類(lèi)號(hào): G01N27/30;B82Y40/00;B82Y15/00
• 代理公司: 南京天翼專(zhuān)利代理有限責(zé)任公司 32112
• 代理人: 周靜

1.一種在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，在基材表面形成線(xiàn)寬度為微米級(jí)金屬線(xiàn)，將金屬線(xiàn)刻蝕成線(xiàn)寬度為納米級(jí)，然后在對(duì)應(yīng)于納米級(jí)線(xiàn)寬的金屬線(xiàn)位置，在基材上刻蝕出貫穿的納米孔，同時(shí)蝕斷金屬線(xiàn)，從而直接在納米孔孔口形成表面納米間隙電極。

2.如權(quán)利要求1所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，使用聚焦電子束將金屬線(xiàn)刻蝕成線(xiàn)寬度為納米級(jí)。

3.如權(quán)利要求1所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，使用聚焦電子束、高能電子束或直接控制AFM的針尖在金屬線(xiàn)上刻蝕出納米間隙。

4.如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，在基材表面形成線(xiàn)寬度為微米級(jí)金屬線(xiàn)，將金屬線(xiàn)刻蝕至線(xiàn)寬度為10-50nm，然后在金屬線(xiàn)上刻蝕，形成兩個(gè)相對(duì)的電極，并在基材上對(duì)應(yīng)于納米間隙的位置刻蝕出貫穿的納米孔，最后使金屬線(xiàn)向納米孔邊緣生長(zhǎng)，從而在納米孔孔口形成間距為1-10nm的表面納米間隙電極。

5.如權(quán)利要求4所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，在基材表面形成線(xiàn)寬度為微米級(jí)金屬線(xiàn)，將金屬線(xiàn)刻蝕至線(xiàn)寬度為10-50nm，然后在金屬線(xiàn)上刻蝕，形成兩個(gè)相對(duì)的電極，電極間距在10-50nm之間，并在基材上對(duì)應(yīng)于納米間隙的位置刻蝕出貫穿的納米孔，最后采用聚焦離子束誘導(dǎo)沉積方法對(duì)電極進(jìn)行誘導(dǎo)沉積，使金屬線(xiàn)向納米孔邊緣生長(zhǎng)，從而在納米孔孔口形成間距為1-10nm的表面納米間隙電極。

6.如權(quán)利要求4所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，在基材表面形成線(xiàn)寬度為微米級(jí)金屬線(xiàn)，將金屬線(xiàn)刻蝕至線(xiàn)寬度為10-50nm，然后在金屬線(xiàn)上刻蝕，形成兩個(gè)相距40～500nm的電極，并在基材上對(duì)應(yīng)于納米間隙的位置刻蝕出貫穿的納米孔，最后采用電化學(xué)方法在電極表面沉積金屬，使金屬線(xiàn)向納米孔邊緣生長(zhǎng)，從而在納米孔孔口形成間距為1-10nm的表面納米間隙電極。

7.如權(quán)利要求4所述的在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，在基材表面形成線(xiàn)寬度為微米級(jí)金屬線(xiàn)，將金屬線(xiàn)刻蝕至線(xiàn)寬度為10-50nm，然后在金屬線(xiàn)上刻蝕，形成兩個(gè)相對(duì)的電極，電極間距在10-50nm之間，并在基材上對(duì)應(yīng)于納米間隙的位置刻蝕出貫穿的納米孔，最后在電極表面覆蓋膠體金溶液，施加交流偏壓，在雙電泳作用下，膠體金納米顆粒在電極間連成一條納米線(xiàn)，然后將交流偏壓變成直流偏壓，使納米線(xiàn)中的缺陷部位產(chǎn)生斷裂，從而在納米孔孔口形成間距為1-10nm的表面納米間隙電極。

8.一種在納米孔表面制備納米間隙電極的方法，其特征在于，在基材表面形成金屬線(xiàn)，使用聚焦電子束在金屬線(xiàn)上刻蝕出納米間隙，然后在基材上對(duì)應(yīng)于納米間隙的位置刻蝕出貫穿的納米孔，從而在納米孔孔口形成表面納米間隙電極。

9.一種在納米孔孔內(nèi)制備納米間隙電極的方法，其特征在于，通過(guò)電子束光刻的方法在氮化硅基材上形成線(xiàn)寬為5μm的金屬線(xiàn)圖形，然后在金屬線(xiàn)上沉積一層表層覆蓋層，在對(duì)應(yīng)金屬線(xiàn)的位置，刻蝕出貫穿氮化硅基材和表層覆蓋層的納米孔，從而在納米孔孔內(nèi)形成納米間隙電極。