[發(fā)明專利]磁介質(zhì)盤和硬盤驅(qū)動(dòng)器無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110285578.2 | 申請(qǐng)日: | 2011-09-23 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102419984A | 公開(公告)日: | 2012-04-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | E.A.多比茨;M.K.格羅比斯;O.赫爾維格;D.K.韋勒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司 |
| 主分類號(hào): | G11B5/82 | 分類號(hào): | G11B5/82;G11B5/48 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 張波 |
| 地址: | 荷蘭阿*** | 國(guó)省代碼: | 荷蘭;NL |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 介質(zhì) 硬盤驅(qū)動(dòng)器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明總地涉及硬盤驅(qū)動(dòng)器,具體地,涉及用于交換彈性(exchange?spring)或交換耦合復(fù)合(exchanged?coupled?composite,ECC)的位圖案化介質(zhì)(bit?patterned?media)的層疊島(tiered?island)的系統(tǒng)、方法和裝置。
背景技術(shù)
常規(guī)(垂直)磁記錄和位圖案化介質(zhì)(BPM)記錄之間存在顯著差異。例如,常規(guī)記錄的線密度通常為道密度(track?density)的約四至六倍。相反,對(duì)于BPM,線密度和道密度接近。該差異源自于以下事實(shí),即任何類型的合適的BPM制造工藝僅在沿道尺寸(down-track)和跨道尺寸(across-track)在尺寸上接近時(shí)充分發(fā)揮其潛能。結(jié)果,與具有相等面密度的常規(guī)記錄器件相比,預(yù)期BPM記錄有高得多的道密度。
隨著道密度的這種顯著增大,清楚的是,相鄰道干擾(ATI)或相鄰道擦除(ATE)的負(fù)面影響與它們?cè)谀壳暗某R?guī)記錄結(jié)構(gòu)中相比將變得甚至更重要。因此,必須找到本質(zhì)上限制ATI/ATE問題的途徑。減小BPM中的ATI的任何技術(shù)或制造方案對(duì)于在增大面密度的同時(shí)確保準(zhǔn)確的位尋址能力而言是非常重要的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明公開一種用于交換耦合復(fù)合或交換彈性的位圖案化介質(zhì)的形狀設(shè)計(jì)的(shape-engineered)島的系統(tǒng)、方法和裝置的實(shí)施例。在一些實(shí)施例中,磁介質(zhì)盤包括具有軸的襯底以及在該襯底上布置成多個(gè)環(huán)形道的交換耦合位圖案化介質(zhì)。每個(gè)道具有從盤表面沿軸方向延伸的多個(gè)島的圖案。每個(gè)島包括具有第一各向異性和第一層徑向?qū)挾?first?layer?radial?width)的第一層、以及在該第一層上且具有比該第一各向異性小的第二各向異性的第二層。第二層徑向?qū)挾刃∮诘谝粚訌较驅(qū)挾取?/p>
在另一些實(shí)施例中,硬盤驅(qū)動(dòng)器包括封殼(enclosure)以及相對(duì)于該封殼繞軸轉(zhuǎn)動(dòng)的磁介質(zhì)盤。該磁介質(zhì)盤具有布置成具有島的圖案的多個(gè)道的交換耦合位圖案化介質(zhì)。每個(gè)島包括具有第一層寬度的第一層和在該第一層上且具有比該第一層寬度小的第二層寬度的第二層。致動(dòng)器安裝到封殼且可相對(duì)于磁介質(zhì)盤移動(dòng)。該致動(dòng)器具有包括頭場(chǎng)輪廓(head?field?contour)的頭(head)以用于記錄數(shù)據(jù)到磁介質(zhì)盤的道。該頭場(chǎng)輪廓具有一場(chǎng)寬度(field?width),該場(chǎng)寬度延伸到相鄰道且對(duì)相鄰道有最小的影響或沒有影響。
考慮到以下結(jié)合權(quán)利要求和附圖的詳細(xì)描述,這些實(shí)施例的前述和其他的目標(biāo)及優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員將是明顯的。
附圖說明
通過參照附圖所示的本發(fā)明的實(shí)施例,可以給出更具體的描述,從而更詳細(xì)地理解和獲得實(shí)施例的特征和優(yōu)點(diǎn)的方式。然而,附圖僅示出一些實(shí)施例,因此不應(yīng)被視為對(duì)范圍的限制,因?yàn)榭梢杂衅渌刃У膶?shí)施例。
圖1A、1B和1C是常規(guī)交換耦合復(fù)合(ECC)結(jié)構(gòu)和交換彈性結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)剖視圖;
圖2A-F是ECC結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的示意性側(cè)剖視圖和俯視圖;
圖3A-F是ECC結(jié)構(gòu)的另一些實(shí)施例的示意性側(cè)剖視圖和俯視圖;
圖4是位圖案化介質(zhì)島的交換彈性結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的示意性側(cè)剖視圖;
圖5是ECC結(jié)構(gòu)的另一些實(shí)施例的示意性側(cè)視圖;
圖6A和6B是在記錄操作期間ECC結(jié)構(gòu)的實(shí)施例的示意性俯視圖和側(cè)剖視圖;以及
圖7是硬盤驅(qū)動(dòng)器的實(shí)施例的示意圖。
不同附圖中相同附圖標(biāo)記的使用表示相似或相同的項(xiàng)目。
具體實(shí)施方式
本發(fā)明公開了包括交換耦合復(fù)合或交換彈性的位圖案化介質(zhì)的形狀設(shè)計(jì)的島的系統(tǒng)、方法和裝置的實(shí)施例。圖1A、1B和1C分別示出常規(guī)兩層和三層交換耦合復(fù)合(ECC)薄膜結(jié)構(gòu)21和23以及常規(guī)交換彈性結(jié)構(gòu)24的示例。這些結(jié)構(gòu)沿軸方向(即示出為垂直地)延伸且具有各向異性不同的頂層25和底層27。結(jié)構(gòu)23還具有中間層26,中間層26的各向異性在頂層25和底層27的各向異性之間。這些結(jié)構(gòu)的每個(gè)層關(guān)于它們的軸具有基本相同的徑向尺寸。
每個(gè)結(jié)構(gòu)的頂層25具有較低的各向異性以幫助減小較高各向異性的底層27的反轉(zhuǎn)場(chǎng)(reversal?field)而不降低其熱穩(wěn)定性。這是通過較低各向異性頂層25的磁化的可逆獨(dú)立傾斜且因此對(duì)較高各向異性的底層27的磁化引發(fā)一轉(zhuǎn)矩(torque)來實(shí)現(xiàn)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司,未經(jīng)日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110285578.2/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G11B 基于記錄載體和換能器之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)而實(shí)現(xiàn)的信息存儲(chǔ)
G11B5-00 借助于記錄載體的激磁或退磁進(jìn)行記錄的;用磁性方法進(jìn)行重現(xiàn)的;為此所用的記錄載體
G11B5-004 .磁鼓信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-008 .磁帶或磁線信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-012 .磁盤信息的記錄、重現(xiàn)或抹除
G11B5-02 .記錄、重現(xiàn)或抹除的方法及其讀、寫或抹除的電路
G11B5-10 .磁頭的外殼或屏蔽罩的結(jié)構(gòu)或制造





