[發明專利]觸控感測結構及其制造方法

有效

• 申請號: 201110285561.7
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102915140A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 陳維釧;郭曉文
• 申請（專利權）人: 杰圣科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/041
• 分類號: G06F3/041
• 代理公司: 北京申翔知識產權代理有限公司 11214
• 代理人: 艾晶;周春發

1.一種觸控感測結構，其特征在于，包括有：

一透明基材；

一第一透明導電層，該第一透明導電層位于該透明基材之上，設有復數第一感測墊、復數第二感測墊和復數第一橋接線，其中該些第一感測墊和該些第二感測墊相互交錯陣列排列，該些第一橋接線沿一第一方向電性連接該些第一感測墊；

一絕緣層，設有復數絕緣墊，各絕緣墊相對位于各第一橋接線上；以及

一第二透明導電層，設有復數第二橋接線，各第二橋接線設于該絕緣墊上，并于一第二方向電性連接各第二感測墊，其中該第二透明導電層的蝕刻速率大于該第一透明導電層的蝕刻速率。

2.一種觸控感測結構，其特征在于，包括有：

一透明基材；

一第一透明導電層，該第一透明導電層位于該透明基材之上，設有復數第二橋接線；

一絕緣層，設有復數個絕緣墊，各絕緣墊相對位于各第二橋接線上；以及

一第二透明導電層，設有復數第一感測墊、復數第二感測墊和復數第一橋接線，其中該些第一感測墊和該些第二感測墊相互交錯陣列排列，各第一橋接線設于該絕緣墊上，該些第一橋接線則沿一第一方向電性連接該些第一感測墊，該些第二橋接線沿一第二方向電性連接該些第二感測墊，其中該第二透明導電層的蝕刻速率大于該第一透明導電層的蝕刻速率。

3.如權利要求1或2所述的觸控感測結構，其特征在于，該第一透明導電層的材質為結晶型透明導電材質、多晶型透明導電材質或半結晶型透明導電材質其中之一，該第二透明導電層為非晶型透明導電材質。

4.如權利要求1或2所述的觸控感測結構，其特征在于，該第一透明導電層為結晶型銦錫氧化物、多晶型銦錫氧化物或半結晶型銦錫氧化物，該第二透明導電層為非晶型銦錫氧化物。

5.如權利要求1或2所述的觸控感測結構，其特征在于，該透明基材為可繞卷曲的材質。

6.一種觸控感測結構的制造方法，其特征在于，包括有：

提供一透明基材；

形成一第一透明導電層于該透明基材之上；

圖案化該第一透明導電層，形成復數第一感測墊、復數第二感測墊和復數第一橋接線，其中該些第一感測墊和該些第二感測墊相互交錯陣列排列，該些第一橋接線則沿一第一方向電性連接該些第一感測墊；

形成一絕緣層；

圖案化該絕緣層，形成復數個絕緣墊，各絕緣墊相對位于各第一橋接線上；

形成一第二透明導電層于該絕緣層之上，其中該第二透明導電層的蝕刻速率大于該第一透明導電層的蝕刻速率；以及

形成一第二圖案化光阻層于該第二透明導電層之上，圖案化該第二透明導電層，形成復數第二橋接線，各第二橋接線設于該絕緣墊上，并于一第二方向電性連接各第二感測墊，形成一感測結構。

7.一種觸控感測結構的制造方法，其特征在于，包括有：

提供一透明基材；

形成一第一透明導電層于該透明基材；

圖案化該第一透明導電層，形成復數第二橋接線；

形成一絕緣層；

圖案化該絕緣層，形成復數個絕緣墊，各絕緣墊分別設于各第二橋接線上；

形成一第二透明導電層于該絕緣層之上，該第二透明導電層的蝕刻速率大于該第一透明導電層的蝕刻速率；

形成一第二圖案化光阻層于該第二透明導電層之上，圖案化該第二透明導電層，形成復數第一感測墊、復數第二感測墊和復數第一橋接線，其中該些第一感測墊和該些第二感測墊相互交錯陣列排列，各第一橋接線設于該絕緣墊上，該些第一橋接線則沿一第一方向電性連接該些第一感測墊，該些第二橋接線沿一第二方向電性連接該些第二感測墊，形成一感測結構。

8.如權利要求6或7所述觸控感測結構的制造方法，其特征在于，該第一透明導電層為結晶型透明導電材質、多晶型透明導電材質或半結晶型透明導電材質其中之一，該第二透明導電層為非晶型透明導電材質。

9.如權利要求6或7所述的觸控感測結構的制造方法，其特征在于，該第一透明導電層為結晶型銦錫氧化物、多晶型銦錫氧化物或半結晶型銦錫氧化物其中之一，該第二透明導電層為非晶型銦錫氧化物。