[發明專利]一種用于納米集成電路的銅擴散阻擋層的制備方法

無效

• 申請號: 201110285348.6
• 申請日: 2011-09-23
• 公開（公告）號: CN102332426A
• 公開（公告）日: 2012-01-25
• 發明（設計）人: 孫清清;陳琳;楊雯;王鵬飛;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;盛志范

1.一種銅擴散阻擋層的制備方法，其特征在于具體步驟包括：

在第一層金屬互連層上形成互連通孔；

形成第一層金屬薄膜；

采用原子層淀積技術形成第二層金屬薄膜；

形成銅互連結構；

其中，所述的第二層金屬薄膜的原子層淀積過程為：

①.將基片放入原子層淀積反應腔中，并加熱反應腔至工藝溫度；

②.通入第二層金屬的金屬有機物前驅體；

③.通入惰性氣體帶走殘余的金屬有機物前驅體；

④.通入氧化劑蒸汽；

⑤.再次通入惰性氣體帶走殘余的氧化劑蒸汽；

⑥.重復進行步驟②-步驟⑤，直至達到所需求的薄膜厚度；

⑦.通入還原性氣體得到所需求的金屬薄膜。

2.根據權利要求1所述的銅的擴散阻擋層的制備方法，其特征在于，所述的第一層金屬為TaN。

3.根據權利要求1所述的銅的擴散阻擋層的制備方法，其特征在于，所述的第二層金屬為Co或者為Ru。

4.根據權利要求3所述的銅的擴散阻擋層的制備方法，其特征在于，所述的第二層金屬為Co，其金屬有機物前驅體為Co(C₅H₇O₂)₂。

5.根據權利要求3所述的銅的擴散阻擋層的制備方法，其特征在于，所述的第二層金屬為Ru，其金屬有機物前驅體為CpRu(CO)₂Et。

6.根據權利要求1或3所述的銅的擴散阻擋層的制備方法，其特征在于，所述的惰性氣體為氮氣、氬氣或者氦氣。

7.根據權利要求1或3所述的銅的擴散阻擋層的制備方法，其特征在于，所述的氧化劑為氨氣或氧氣。

8.根據權利要求1或3所述的銅的擴散阻擋層的制備方法，其特征在于，所述的還原性氣體為氫氣或甲烷。